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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAPT20M45BVRG
Microchip Technology
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APT20M45BVRG - Microchip Technology

Hersteller Artikelnummer
APT20M45BVRG
Hersteller
Microchip Technology
Allelco Artikelnummer
32D-APT20M45BVRG
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 56A TO247
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
Power Products Catalog.pdf
APT20M45BVR.pdf
RoHS Status
vorrätig: 3174

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Anzahl

Spezifikation

APT20M45BVRG Tech -Spezifikationen
Microchip Technology - APT20M45BVRG Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Microchip Technology - APT20M45BVRG

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Microchip Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247 [B]  
Serie POWER MOS V®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 500mA, 10V  
Verlustleistung (max) 300W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4860 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 195 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 56A (Tc)  
Grundproduktnummer APT20M45  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Microchip Technology APT20M45BVRG.

Produkteigenschaften APT20M45BVRG APT21M100J APT22F120L APT20M38BVFRG
Artikelnummer APT20M45BVRG APT21M100J APT22F120L APT20M38BVFRG
Hersteller Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology Microsemi Corporation
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V 1000 V 1200 V 200 V
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 195 nC @ 10 V 260 nC @ 10 V 260 nC @ 10 V 225 nC @ 10 V
Befestigungsart Through Hole Chassis Mount Through Hole Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 500mA, 10V 380mOhm @ 16A, 10V 700mOhm @ 12A, 10V 38mOhm @ 500mA, 10V
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 SOT-227-4, miniBLOC TO-264-3, TO-264AA TO-247-3
Paket Tube Tube Tube Tube
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4860 pF @ 25 V 8500 pF @ 25 V 8370 pF @ 25 V 6120 pF @ 25 V
Supplier Device-Gehäuse TO-247 [B] ISOTOP® TO-264 [L] TO-247 [B]
FET-Merkmal - - - -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Grundproduktnummer APT20M45 APT21M100 APT22F120 -
Verlustleistung (max) 300W (Tc) 462W (Tc) 1040W (Tc) 370W (Tc)
Serie POWER MOS V® POWER MOS 8™ POWER MOS 8™ POWER MOS V®
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 56A (Tc) 21A (Tc) 23A (Tc) 67A (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA 5V @ 2.5mA 5V @ 2.5mA 4V @ 1mA
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

APT20M45BVRG Datenblatt PDF

Laden Sie APT20M45BVRG PDF -Datenblätter und Microchip Technology -Dokumentation für APT20M45BVRG - Microchip Technology herunter.

Umweltinformationen
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
PCN Andere
Integration 13/May/2020.pdf
HTML -Datenblatt
Power Products Catalog.pdf
Datenblätter
APT20M45BVR.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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