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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAPT29F100L
Microchip Technology
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APT29F100L - Microchip Technology

Hersteller Artikelnummer
APT29F100L
Hersteller
Microchip Technology
Allelco Artikelnummer
32D-APT29F100L
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 1000V 30A TO264
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-264-3, TO-264AA
Datenblatt
APT29F100L.pdf
RoHS Status
vorrätig: 2420

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Spezifikation

APT29F100L Tech -Spezifikationen
Microchip Technology - APT29F100L Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Microchip Technology - APT29F100L

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Microchip Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-264  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 460mOhm @ 16A, 10V  
Verlustleistung (max) 1040W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-264-3, TO-264AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 8500 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 260 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1000 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 30A (Tc)  
Grundproduktnummer APT29F100  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Microchip Technology APT29F100L.

Produkteigenschaften APT29F100L APT25SM120B APT29F100B2 APT28M120L
Artikelnummer APT29F100L APT25SM120B APT29F100B2 APT28M120L
Hersteller Microchip Technology Microsemi Corporation Microchip Technology Microchip Technology
Serie - - POWER MOS 8™ POWER MOS 8™
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 20V 10V 10V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Verlustleistung (max) 1040W (Tc) 175W (Tc) 1040W (Tc) 1135W (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 260 nC @ 10 V 72 nC @ 20 V 260 nC @ 10 V 300 nC @ 10 V
FET-Merkmal - - - -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 460mOhm @ 16A, 10V 175mOhm @ 10A, 20V 440mOhm @ 16A, 10V 530mOhm @ 14A, 10V
Paket Tube Bulk Tube Tube
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 8500 pF @ 25 V - 8500 pF @ 25 V 9670 pF @ 25 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1000 V 1200 V 1000 V 1200 V
Vgs (Max) ±30V +25V, -10V ±30V ±30V
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA 2.5V @ 1mA 5V @ 2.5mA 5V @ 2.5mA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 30A (Tc) 25A (Tc) 30A (Tc) 29A (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-264-3, TO-264AA TO-247-3 TO-247-3 Variant TO-264-3, TO-264AA
Technologie MOSFET (Metal Oxide) SiCFET (Silicon Carbide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse TO-264 TO-247 T-MAX™ [B2] TO-264 [L]
Grundproduktnummer APT29F100 - APT29F100 APT28M120

APT29F100L Datenblatt PDF

Laden Sie APT29F100L PDF -Datenblätter und Microchip Technology -Dokumentation für APT29F100L - Microchip Technology herunter.

Umweltinformationen
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
PCN Andere
Integration 13/May/2020.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Fab Site 27/Jul/2022.pdf

Lieferung

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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