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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAPT25M100J
APT25M100J Image
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APT25M100J - Microchip Technology

Hersteller Artikelnummer
APT25M100J
Hersteller
Microchip Technology
Allelco Artikelnummer
32D-APT25M100J
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 1000V 25A ISOTOP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-227-4, miniBLOC
Datenblatt
Power Products Catalog.pdf
RoHS Status
vorrätig: 1430

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Anzahl

Spezifikation

APT25M100J Tech -Spezifikationen
Microchip Technology - APT25M100J Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Microchip Technology - APT25M100J

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Microchip Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse ISOTOP®  
Serie POWER MOS 8™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 330mOhm @ 18A, 10V  
Verlustleistung (max) 545W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Chassis Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9835 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 305 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1000 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 25A (Tc)  
Grundproduktnummer APT25M100  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Microchip Technology APT25M100J.

Produkteigenschaften APT25M100J APT29F100L APT29F100B2 APT25SM120B
Artikelnummer APT25M100J APT29F100L APT29F100B2 APT25SM120B
Hersteller Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology Microsemi Corporation
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 20V
Paket Tube Tube Tube Bulk
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount Through Hole Through Hole Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 305 nC @ 10 V 260 nC @ 10 V 260 nC @ 10 V 72 nC @ 20 V
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V +25V, -10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9835 pF @ 25 V 8500 pF @ 25 V 8500 pF @ 25 V -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) SiCFET (Silicon Carbide)
FET-Merkmal - - - -
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC TO-264-3, TO-264AA TO-247-3 Variant TO-247-3
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1000 V 1000 V 1000 V 1200 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verlustleistung (max) 545W (Tc) 1040W (Tc) 1040W (Tc) 175W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 330mOhm @ 18A, 10V 460mOhm @ 16A, 10V 440mOhm @ 16A, 10V 175mOhm @ 10A, 20V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 25A (Tc) 30A (Tc) 30A (Tc) 25A (Tc)
Serie POWER MOS 8™ - POWER MOS 8™ -
Grundproduktnummer APT25M100 APT29F100 APT29F100 -
Supplier Device-Gehäuse ISOTOP® TO-264 T-MAX™ [B2] TO-247
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA 5V @ 2.5mA 5V @ 2.5mA 2.5V @ 1mA

APT25M100J Datenblatt PDF

Laden Sie APT25M100J PDF -Datenblätter und Microchip Technology -Dokumentation für APT25M100J - Microchip Technology herunter.

Umweltinformationen
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
PCN Andere
Integration 13/May/2020.pdf
HTML -Datenblatt
Power Products Catalog.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Fab Site 27/Jul/2022.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Microchip Technology
32D-APT25M100J

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