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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAPT25SM120B
Microsemi Corporation
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

APT25SM120B - Microsemi Corporation

Hersteller Artikelnummer
APT25SM120B
Hersteller
Microsemi
Allelco Artikelnummer
32D-APT25SM120B
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
SICFET N-CH 1200V 25A TO247
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
APT25SM120B.pdf
vorrätig: 3900

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Spezifikation

APT25SM120B Tech -Spezifikationen
Microsemi Corporation - APT25SM120B Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Microsemi Corporation - APT25SM120B

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Microsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA  
Vgs (Max) +25V, -10V  
Technologie SiCFET (Silicon Carbide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 175mOhm @ 10A, 20V  
Verlustleistung (max) 175W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Bulk  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 72 nC @ 20 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 20V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 25A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Microsemi Corporation APT25SM120B.

Produkteigenschaften APT25SM120B APT28M120L APT29F100B2 APT25M100J
Artikelnummer APT25SM120B APT28M120L APT29F100B2 APT25M100J
Hersteller Microsemi Corporation Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200 V 1200 V 1000 V 1000 V
Serie - POWER MOS 8™ POWER MOS 8™ POWER MOS 8™
Supplier Device-Gehäuse TO-247 TO-264 [L] T-MAX™ [B2] ISOTOP®
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 25A (Tc) 29A (Tc) 30A (Tc) 25A (Tc)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Chassis Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 175mOhm @ 10A, 20V 530mOhm @ 14A, 10V 440mOhm @ 16A, 10V 330mOhm @ 18A, 10V
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-264-3, TO-264AA TO-247-3 Variant SOT-227-4, miniBLOC
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) +25V, -10V ±30V ±30V ±30V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 20V 10V 10V 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 72 nC @ 20 V 300 nC @ 10 V 260 nC @ 10 V 305 nC @ 10 V
Technologie SiCFET (Silicon Carbide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA 5V @ 2.5mA 5V @ 2.5mA 5V @ 2.5mA
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) 175W (Tc) 1135W (Tc) 1040W (Tc) 545W (Tc)
Paket Bulk Tube Tube Tube

APT25SM120B Datenblatt PDF

Laden Sie APT25SM120B PDF -Datenblätter und Microsemi Corporation -Dokumentation für APT25SM120B - Microsemi Corporation herunter.

Umweltinformationen
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Devices 16/Oct/2017.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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