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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAPT30M60J
APT30M60J Image
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APT30M60J - Microchip Technology

Hersteller Artikelnummer
APT30M60J
Hersteller
Microchip Technology
Allelco Artikelnummer
32D-APT30M60J
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 31A ISOTOP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-227-4, miniBLOC
Datenblatt
Power Products Catalog.pdf
RoHS Status
vorrätig: 1236

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Anzahl

Spezifikation

APT30M60J Tech -Spezifikationen
Microchip Technology - APT30M60J Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Microchip Technology - APT30M60J

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Microchip Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse ISOTOP®  
Serie POWER MOS 8™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150mOhm @ 21A, 10V  
Verlustleistung (max) 355W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Chassis Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5890 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 215 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 31A (Tc)  
Grundproduktnummer APT30M60  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Microchip Technology APT30M60J.

Produkteigenschaften APT30M60J APT30M40JVR APT31N60BCSG APT30M70BVRG
Artikelnummer APT30M60J APT30M40JVR APT31N60BCSG APT30M70BVRG
Hersteller Microchip Technology Microchip Technology Microsemi Corporation Microchip Technology
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC TO-247-3 TO-247-3
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA 4V @ 2.5mA 3.9V @ 1.2mA 4V @ 1mA
Serie POWER MOS 8™ POWER MOS V® CoolMOS™ POWER MOS V®
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 215 nC @ 10 V 425 nC @ 10 V 85 nC @ 10 V 225 nC @ 10 V
Grundproduktnummer APT30M60 APT30M40 - APT30M70
Verlustleistung (max) 355W (Tc) 450W (Tc) 255W (Tc) 370W (Tc)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 31A (Tc) 70A (Tc) 31A (Tc) 48A (Tc)
Paket Tube Tube Tube Tube
Supplier Device-Gehäuse ISOTOP® ISOTOP® TO-247-3 TO-247 [B]
Befestigungsart Chassis Mount Chassis Mount Through Hole Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150mOhm @ 21A, 10V 40mOhm @ 500mA, 10V 100mOhm @ 18A, 10V 70mOhm @ 500mA, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 300 V 600 V 300 V
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5890 pF @ 25 V 10200 pF @ 25 V 3055 pF @ 25 V 5870 pF @ 25 V
FET-Merkmal - - - -

APT30M60J Datenblatt PDF

Laden Sie APT30M60J PDF -Datenblätter und Microchip Technology -Dokumentation für APT30M60J - Microchip Technology herunter.

Umweltinformationen
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
PCN Andere
Integration 13/May/2020.pdf
HTML -Datenblatt
Power Products Catalog.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Fab Site 27/Jul/2022.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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32D-APT30M60J

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