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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAPT31N60BCSG
Microsemi Corporation
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

APT31N60BCSG - Microsemi Corporation

Hersteller Artikelnummer
APT31N60BCSG
Hersteller
Microsemi
Allelco Artikelnummer
32D-APT31N60BCSG
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 31A TO247-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
APT31N60BCS(G).pdf
vorrätig: 4440

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Spezifikation

APT31N60BCSG Tech -Spezifikationen
Microsemi Corporation - APT31N60BCSG Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Microsemi Corporation - APT31N60BCSG

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Microsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 3.9V @ 1.2mA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247-3  
Serie CoolMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 18A, 10V  
Verlustleistung (max) 255W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3055 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 85 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 31A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Microsemi Corporation APT31N60BCSG.

Produkteigenschaften APT31N60BCSG APT30M60J APT31N80JC3 APT30M70BVRG
Artikelnummer APT31N60BCSG APT30M60J APT31N80JC3 APT30M70BVRG
Hersteller Microsemi Corporation Microchip Technology Microsemi Corporation Microchip Technology
Befestigungsart Through Hole Chassis Mount Chassis Mount Through Hole
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 18A, 10V 150mOhm @ 21A, 10V 145mOhm @ 22A, 10V 70mOhm @ 500mA, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC TO-247-3
Supplier Device-Gehäuse TO-247-3 ISOTOP® ISOTOP® TO-247 [B]
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 31A (Tc) 31A (Tc) 31A (Tc) 48A (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 600 V 800 V 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 85 nC @ 10 V 215 nC @ 10 V 355 nC @ 10 V 225 nC @ 10 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Paket Tube Tube Tube Tube
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3055 pF @ 25 V 5890 pF @ 25 V 4510 pF @ 25 V 5870 pF @ 25 V
Verlustleistung (max) 255W (Tc) 355W (Tc) 833W (Tc) 370W (Tc)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±20V ±30V
Serie CoolMOS™ POWER MOS 8™ CoolMOS™ POWER MOS V®
VGS (th) (Max) @ Id 3.9V @ 1.2mA 5V @ 2.5mA 3.9V @ 2mA 4V @ 1mA

APT31N60BCSG Datenblatt PDF

Laden Sie APT31N60BCSG PDF -Datenblätter und Microsemi Corporation -Dokumentation für APT31N60BCSG - Microsemi Corporation herunter.

Umweltinformationen
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
Datenblätter
APT31N60BCS(G).pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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