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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAPT30M70BVRG
Microchip Technology
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

APT30M70BVRG - Microchip Technology

Hersteller Artikelnummer
APT30M70BVRG
Hersteller
Microchip Technology
Allelco Artikelnummer
32D-APT30M70BVRG
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 300V 48A TO247
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
Power Products Catalog.pdf
RoHS Status
vorrätig: 2751

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Anzahl

Spezifikation

APT30M70BVRG Tech -Spezifikationen
Microchip Technology - APT30M70BVRG Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Microchip Technology - APT30M70BVRG

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Microchip Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247 [B]  
Serie POWER MOS V®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 500mA, 10V  
Verlustleistung (max) 370W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5870 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 225 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 300 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 48A (Tc)  
Grundproduktnummer APT30M70  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Microchip Technology APT30M70BVRG.

Produkteigenschaften APT30M70BVRG APT30M30JLL APT31N80JC3 APT30M60J
Artikelnummer APT30M70BVRG APT30M30JLL APT31N80JC3 APT30M60J
Hersteller Microchip Technology Microchip Technology Microsemi Corporation Microchip Technology
Paket Tube Tube Tube Tube
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA 5V @ 2.5mA 3.9V @ 2mA 5V @ 2.5mA
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC
Grundproduktnummer APT30M70 APT30M30 - APT30M60
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Befestigungsart Through Hole Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Verlustleistung (max) 370W (Tc) - 833W (Tc) 355W (Tc)
Serie POWER MOS V® POWER MOS 7® CoolMOS™ POWER MOS 8™
Drain-Source-Spannung (Vdss) 300 V 300 V 800 V 600 V
FET-Merkmal - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V - 10V 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 48A (Tc) 88A (Tc) 31A (Tc) 31A (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5870 pF @ 25 V 7030 pF @ 25 V 4510 pF @ 25 V 5890 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 225 nC @ 10 V 140 nC @ 10 V 355 nC @ 10 V 215 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±30V - ±20V ±30V
Supplier Device-Gehäuse TO-247 [B] ISOTOP® ISOTOP® ISOTOP®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 500mA, 10V 30mOhm @ 44A, 10V 145mOhm @ 22A, 10V 150mOhm @ 21A, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

APT30M70BVRG Datenblatt PDF

Laden Sie APT30M70BVRG PDF -Datenblätter und Microchip Technology -Dokumentation für APT30M70BVRG - Microchip Technology herunter.

Umweltinformationen
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
PCN Andere
Integration 13/May/2020.pdf
HTML -Datenblatt
Power Products Catalog.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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