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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAPT34F100B2
Microchip Technology
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

APT34F100B2 - Microchip Technology

Hersteller Artikelnummer
APT34F100B2
Hersteller
Microchip Technology
Allelco Artikelnummer
32D-APT34F100B2
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 1000V 35A T-MAX
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3 Variant
Datenblatt
Power Products Catalog.pdf
RoHS Status
vorrätig: 1896

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Anzahl

Spezifikation

APT34F100B2 Tech -Spezifikationen
Microchip Technology - APT34F100B2 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Microchip Technology - APT34F100B2

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Microchip Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse T-MAX™ [B2]  
Serie POWER MOS 8™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380mOhm @ 18A, 10V  
Verlustleistung (max) 1135W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 Variant  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9835 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 305 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1000 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 35A (Tc)  
Grundproduktnummer APT34F100  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Microchip Technology APT34F100B2.

Produkteigenschaften APT34F100B2 APT34N80B2C3G APT34N80LC3G APT32F120J
Artikelnummer APT34F100B2 APT34N80B2C3G APT34N80LC3G APT32F120J
Hersteller Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology
Supplier Device-Gehäuse T-MAX™ [B2] T-MAX™ [B2] TO-264 [L] ISOTOP®
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
FET-Merkmal - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA 3.9V @ 2mA 3.9V @ 2mA 5V @ 2.5mA
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±30V
Verlustleistung (max) 1135W (Tc) 417W (Tc) 417W (Tc) 960W (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9835 pF @ 25 V 4510 pF @ 25 V 4510 pF @ 25 V 18200 pF @ 25 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 Variant TO-247-3 Variant TO-264-3, TO-264AA SOT-227-4, miniBLOC
Paket Tube Tube Tube Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380mOhm @ 18A, 10V 145mOhm @ 22A, 10V 145mOhm @ 22A, 10V 320mOhm @ 25A, 10V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Chassis Mount
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 305 nC @ 10 V 355 nC @ 10 V 355 nC @ 10 V 560 nC @ 10 V
Serie POWER MOS 8™ - - POWER MOS 8™
Grundproduktnummer APT34F100 APT34N80 APT34N80 APT32F120
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 35A (Tc) 34A (Tc) 34A (Tc) 33A (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1000 V 800 V 800 V 1200 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

APT34F100B2 Datenblatt PDF

Laden Sie APT34F100B2 PDF -Datenblätter und Microchip Technology -Dokumentation für APT34F100B2 - Microchip Technology herunter.

Umweltinformationen
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
PCN Andere
Integration 13/May/2020.pdf
HTML -Datenblatt
Power Products Catalog.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Fab Site 27/Jul/2022.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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