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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAPT34N80B2C3G
Microchip Technology
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

APT34N80B2C3G - Microchip Technology

Hersteller Artikelnummer
APT34N80B2C3G
Hersteller
Microchip Technology
Allelco Artikelnummer
32D-APT34N80B2C3G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 34A T-MAX
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3 Variant
Datenblatt
Power Products Catalog.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5047

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Anzahl

Spezifikation

APT34N80B2C3G Tech -Spezifikationen
Microchip Technology - APT34N80B2C3G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Microchip Technology - APT34N80B2C3G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Microchip Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 3.9V @ 2mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse T-MAX™ [B2]  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 145mOhm @ 22A, 10V  
Verlustleistung (max) 417W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 Variant  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4510 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 355 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 34A (Tc)  
Grundproduktnummer APT34N80  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Microchip Technology APT34N80B2C3G.

Produkteigenschaften APT34N80B2C3G APT34F60B APT34F100L APT34F100B2
Artikelnummer APT34N80B2C3G APT34F60B APT34F100L APT34F100B2
Hersteller Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology
Grundproduktnummer APT34N80 APT34F60 APT34F100 APT34F100
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 355 nC @ 10 V 165 nC @ 10 V 305 nC @ 10 V 305 nC @ 10 V
Paket Tube Tube Tube Tube
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) 417W (Tc) 624W (Tc) 1135W (Tc) 1135W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±30V ±30V ±30V
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 Variant TO-247-3 TO-264-3, TO-264AA TO-247-3 Variant
FET-Merkmal - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V 600 V 1000 V 1000 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4510 pF @ 25 V 6640 pF @ 25 V 9835 pF @ 25 V 9835 pF @ 25 V
VGS (th) (Max) @ Id 3.9V @ 2mA 5V @ 1mA 5V @ 2.5mA 5V @ 2.5mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 145mOhm @ 22A, 10V 210mOhm @ 17A, 10V 400mOhm @ 18A, 10V 380mOhm @ 18A, 10V
Serie - - - POWER MOS 8™
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse T-MAX™ [B2] TO-247 [B] TO-264 [L] T-MAX™ [B2]
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 34A (Tc) 36A (Tc) 35A (Tc) 35A (Tc)

APT34N80B2C3G Datenblatt PDF

Laden Sie APT34N80B2C3G PDF -Datenblätter und Microchip Technology -Dokumentation für APT34N80B2C3G - Microchip Technology herunter.

Umweltinformationen
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
PCN Andere
Integration 13/May/2020.pdf
HTML -Datenblatt
Power Products Catalog.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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