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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAPT34N80LC3G
Microchip Technology
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

APT34N80LC3G - Microchip Technology

Hersteller Artikelnummer
APT34N80LC3G
Hersteller
Microchip Technology
Allelco Artikelnummer
32D-APT34N80LC3G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 34A TO264
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-264-3, TO-264AA
Datenblatt
Power Products Catalog.pdf
RoHS Status
vorrätig: 2657

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Spezifikation

APT34N80LC3G Tech -Spezifikationen
Microchip Technology - APT34N80LC3G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Microchip Technology - APT34N80LC3G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Microchip Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 3.9V @ 2mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-264 [L]  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 145mOhm @ 22A, 10V  
Verlustleistung (max) 417W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-264-3, TO-264AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4510 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 355 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 34A (Tc)  
Grundproduktnummer APT34N80  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Microchip Technology APT34N80LC3G.

Produkteigenschaften APT34N80LC3G APT34F100L APT34F60B APT34N80B2C3G
Artikelnummer APT34N80LC3G APT34F100L APT34F60B APT34N80B2C3G
Hersteller Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology
Verpackung / Gehäuse TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-247-3 TO-247-3 Variant
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V 1000 V 600 V 800 V
Grundproduktnummer APT34N80 APT34F100 APT34F60 APT34N80
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Verlustleistung (max) 417W (Tc) 1135W (Tc) 624W (Tc) 417W (Tc)
Supplier Device-Gehäuse TO-264 [L] TO-264 [L] TO-247 [B] T-MAX™ [B2]
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 355 nC @ 10 V 305 nC @ 10 V 165 nC @ 10 V 355 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 145mOhm @ 22A, 10V 400mOhm @ 18A, 10V 210mOhm @ 17A, 10V 145mOhm @ 22A, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 34A (Tc) 35A (Tc) 36A (Tc) 34A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4510 pF @ 25 V 9835 pF @ 25 V 6640 pF @ 25 V 4510 pF @ 25 V
Serie - - - -
Vgs (Max) ±20V ±30V ±30V ±20V
Paket Tube Tube Tube Tube
VGS (th) (Max) @ Id 3.9V @ 2mA 5V @ 2.5mA 5V @ 1mA 3.9V @ 2mA
FET-Merkmal - - - -

APT34N80LC3G Datenblatt PDF

Laden Sie APT34N80LC3G PDF -Datenblätter und Microchip Technology -Dokumentation für APT34N80LC3G - Microchip Technology herunter.

Umweltinformationen
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
PCN Andere
Integration 13/May/2020.pdf
HTML -Datenblatt
Power Products Catalog.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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