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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelDN1509N8-G
DN1509N8-G Image
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DN1509N8-G - Microchip Technology

Hersteller Artikelnummer
DN1509N8-G
Hersteller
Microchip Technology
Allelco Artikelnummer
32D-DN1509N8-G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 90V 360MA TO243AA
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-243AA
Datenblatt
DN1509.pdf
RoHS Status
vorrätig: 45810

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Anzahl

Spezifikation

DN1509N8-G Tech -Spezifikationen
Microchip Technology - DN1509N8-G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Microchip Technology - DN1509N8-G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Microchip Technology  
VGS (th) (Max) @ Id -  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-243AA (SOT-89)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6Ohm @ 200mA, 0V  
Verlustleistung (max) 1.6W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse TO-243AA  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 150 pF @ 25 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal Depletion Mode  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 0V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 90 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 360mA (Tj)  
Grundproduktnummer DN1509N8  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Microchip Technology DN1509N8-G.

Produkteigenschaften DN1509N8-G FDS4435A FDP2572 NTD4860NA-1G
Artikelnummer DN1509N8-G FDS4435A FDP2572 NTD4860NA-1G
Hersteller Microchip Technology onsemi onsemi onsemi
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 150 pF @ 25 V 2010 pF @ 15 V 1770 pF @ 25 V 1308 pF @ 12 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) 1.6W (Ta) 2.5W (Ta) 135W (Tc) 1.28W (Ta), 50W (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-243AA 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) TO-220-3 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
FET-Merkmal Depletion Mode - - -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tube
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 90 V 30 V 150 V 25 V
VGS (th) (Max) @ Id - 2V @ 250µA 4V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Serie - PowerTrench® PowerTrench® -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Through Hole Through Hole
Typ FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Supplier Device-Gehäuse TO-243AA (SOT-89) 8-SOIC TO-220-3 I-PAK
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 360mA (Tj) 9A (Ta) 4A (Ta), 29A (Tc) 10.4A (Ta), 65A (Tc)
Grundproduktnummer DN1509N8 FDS44 FDP25 NTD48
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6Ohm @ 200mA, 0V 17mOhm @ 9A, 10V 54mOhm @ 9A, 10V 7.5mOhm @ 30A, 10V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 0V 4.5V, 10V 6V, 10V -

DN1509N8-G Datenblatt PDF

Laden Sie DN1509N8-G PDF -Datenblätter und Microchip Technology -Dokumentation für DN1509N8-G - Microchip Technology herunter.

PCN -Verpackung
Label and Packing Changes 23/Sep/2015.pdf Packing Changes 10/Oct/2016.pdf
Umweltinformationen
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Die Attach Material Update 26/Aug/2015.pdf
Datenblätter
DN1509.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Fab Site Revision 07/Apr/2015.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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