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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelTN0104N3-G-P014
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Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

TN0104N3-G-P014 - Microchip Technology

Hersteller Artikelnummer
TN0104N3-G-P014
Hersteller
Microchip Technology
Allelco Artikelnummer
32D-TN0104N3-G-P014
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 450MA TO92-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Datenblatt
TN0104.pdf
RoHS Status
vorrätig: 37140

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Anzahl

Spezifikation

TN0104N3-G-P014 Tech -Spezifikationen
Microchip Technology - TN0104N3-G-P014 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Microchip Technology - TN0104N3-G-P014

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Microchip Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 1.6V @ 500µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-92-3  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.8Ohm @ 1A, 10V  
Verlustleistung (max) 1W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)  
Paket Tape & Box (TB)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 70 pF @ 20 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 3V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 450mA (Ta)  
Grundproduktnummer TN0104  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Microchip Technology TN0104N3-G-P014.

Produkteigenschaften TN0104N3-G-P014 TN0201K-T1-E3 TN0200K-T1-E3 TN0104N3-G
Artikelnummer TN0104N3-G-P014 TN0201K-T1-E3 TN0200K-T1-E3 TN0104N3-G
Hersteller Microchip Technology Vishay Siliconix Vishay Siliconix Microchip Technology
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 450mA (Ta) 420mA (Ta) 730mA (Ta) 450mA (Ta)
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Surface Mount Through Hole
Serie - TrenchFET® - -
Paket Tape & Box (TB) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Bag
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 1.6V @ 500µA 3V @ 250µA 1V @ 50µA 1.6V @ 500µA
Verlustleistung (max) 1W (Tc) 350mW (Ta) - 1W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V - ±20V
FET-Merkmal - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 70 pF @ 20 V - - 70 pF @ 20 V
Supplier Device-Gehäuse TO-92-3 SOT-23-3 (TO-236) SOT-23-3 (TO-236) TO-92-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.8Ohm @ 1A, 10V 1Ohm @ 300mA, 10V 400mOhm @ 600mA, 4.5V 1.8Ohm @ 1A, 10V
Verpackung / Gehäuse TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Grundproduktnummer TN0104 TN0201 TN0200 TN0104
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 3V, 10V 4.5V, 10V - 3V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V 20 V 20 V 40 V

TN0104N3-G-P014 Datenblatt PDF

Laden Sie TN0104N3-G-P014 PDF -Datenblätter und Microchip Technology -Dokumentation für TN0104N3-G-P014 - Microchip Technology herunter.

PCN -Verpackung
Label and Packing Changes 23/Sep/2015.pdf Packing Material 11/Oct/2019.pdf
Umweltinformationen
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
New Mold Compound 16/May/2022.pdf
Datenblätter
TN0104.pdf
PCN -Design/Spezifikation
TN0104 25/Jun/2020.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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