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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelTN0200K-T1-E3
TN0200K-T1-E3 Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

TN0200K-T1-E3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
TN0200K-T1-E3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-TN0200K-T1-E3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 20V SOT23-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
TN0200K.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4130

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Anzahl

Spezifikation

TN0200K-T1-E3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - TN0200K-T1-E3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - TN0200K-T1-E3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 50µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3 (TO-236)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400mOhm @ 600mA, 4.5V  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Paket Cut Tape (CT)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 730mA (Ta)  
Grundproduktnummer TN0200  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix TN0200K-T1-E3.

Produkteigenschaften TN0200K-T1-E3 TN0106N3-G-P003 TN0104N8-G TN0104N3-G
Artikelnummer TN0200K-T1-E3 TN0106N3-G-P003 TN0104N8-G TN0104N3-G
Hersteller Vishay Siliconix Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 50µA 2V @ 500µA 1.6V @ 500µA 1.6V @ 500µA
Grundproduktnummer TN0200 TN0106 TN0104 TN0104
FET-Merkmal - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2 nC @ 4.5 V - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 730mA (Ta) 350mA (Tj) 630mA (Tj) 450mA (Ta)
Serie - - - -
Befestigungsart Surface Mount Through Hole Surface Mount Through Hole
Paket Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bag
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3 (TO-236) TO-92-3 TO-243AA (SOT-89) TO-92-3
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 60 V 40 V 40 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400mOhm @ 600mA, 4.5V 3Ohm @ 500mA, 10V 2Ohm @ 1A, 10V 1.8Ohm @ 1A, 10V
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) TO-243AA TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

TN0200K-T1-E3 Datenblatt PDF

Laden Sie TN0200K-T1-E3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für TN0200K-T1-E3 - Vishay Siliconix herunter.

Umweltinformationen
Material Compliance.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
SIL-1072014 Rev0 17/Dec/2014.pdf
Datenblätter
TN0200K.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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TN0200K-T1-E3

Vishay Siliconix
32D-TN0200K-T1-E3

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