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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelTN0104N3-G
TN0104N3-G Image
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TN0104N3-G - Microchip Technology

Hersteller Artikelnummer
TN0104N3-G
Hersteller
Microchip Technology
Allelco Artikelnummer
32D-TN0104N3-G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 450MA TO92-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Datenblatt
TN0104.pdf
RoHS Status
vorrätig: 37620

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Anzahl

Spezifikation

TN0104N3-G Tech -Spezifikationen
Microchip Technology - TN0104N3-G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Microchip Technology - TN0104N3-G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Microchip Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 1.6V @ 500µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-92-3  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.8Ohm @ 1A, 10V  
Verlustleistung (max) 1W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)  
Paket Bag  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 70 pF @ 20 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 3V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 450mA (Ta)  
Grundproduktnummer TN0104  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Microchip Technology TN0104N3-G.

Produkteigenschaften TN0104N3-G TN0104N8-G TN0106N3-G TN0201K-T1-E3
Artikelnummer TN0104N3-G TN0104N8-G TN0106N3-G TN0201K-T1-E3
Hersteller Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology Vishay Siliconix
Verpackung / Gehäuse TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) TO-243AA TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Bag Tape & Reel (TR) Bag Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 70 pF @ 20 V 70 pF @ 20 V 60 pF @ 25 V -
Grundproduktnummer TN0104 TN0104 TN0106 TN0201
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Through Hole Surface Mount
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V 40 V 60 V 20 V
FET-Merkmal - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 1.6V @ 500µA 1.6V @ 500µA 2V @ 500µA 3V @ 250µA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 450mA (Ta) 630mA (Tj) 350mA (Tj) 420mA (Ta)
Verlustleistung (max) 1W (Tc) 1.6W (Tc) 1W (Tc) 350mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.8Ohm @ 1A, 10V 2Ohm @ 1A, 10V 3Ohm @ 500mA, 10V 1Ohm @ 300mA, 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie - - - TrenchFET®
Supplier Device-Gehäuse TO-92-3 TO-243AA (SOT-89) TO-92-3 SOT-23-3 (TO-236)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 3V, 10V 3V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V

TN0104N3-G Datenblatt PDF

Laden Sie TN0104N3-G PDF -Datenblätter und Microchip Technology -Dokumentation für TN0104N3-G - Microchip Technology herunter.

PCN -Verpackung
Label and Packing Changes 23/Sep/2015.pdf
Umweltinformationen
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
New Mold Compound 16/May/2022.pdf
Datenblätter
TN0104.pdf
PCN -Design/Spezifikation
TN0104 25/Jun/2020.pdf

Lieferung

Lieferzeit

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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