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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysPMDT290UNE,115
PMDT290UNE,115 Image
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PMDT290UNE,115 - Nexperia USA Inc.

Hersteller Artikelnummer
PMDT290UNE,115
Hersteller
Nexperia
Allelco Artikelnummer
32D-PMDT290UNE,115
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666
Verpackung
SOT-563, SOT-666
Datenblatt
PMDT290UNE.pdf
RoHS Status
Unsere Zertifizierung
vorrätig: 271430

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Spezifikation

PMDT290UNE,115 Tech -Spezifikationen
Nexperia USA Inc. - PMDT290UNE,115 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Nexperia USA Inc. - PMDT290UNE,115

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Nexperia  
VGS (th) (Max) @ Id 950mV @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-666  
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380mOhm @ 500mA, 4.5V  
Leistung - max 500mW  
Verpackung / Gehäuse SOT-563, SOT-666  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 83pF @ 10V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.68nC @ 4.5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 800mA  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer PMDT290  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Nexperia USA Inc. PMDT290UNE,115.

Produkteigenschaften PMDT290UNE,115 PMDPB80XP,115 PMDPB80XP,115 PMDXB550UNEZ
Artikelnummer PMDT290UNE,115 PMDPB80XP,115 PMDPB80XP,115 PMDXB550UNEZ
Hersteller Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc. NXP USA Inc. Nexperia USA Inc.
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380mOhm @ 500mA, 4.5V 102mOhm @ 2.7A, 4.5V 102mOhm @ 2.7A, 4.5V 670mOhm @ 590mA, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V 20V 20V 30V
VGS (th) (Max) @ Id 950mV @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA 950mV @ 250µA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 83pF @ 10V 550pF @ 10V 550pF @ 10V 30.3pF @ 15V
Leistung - max 500mW 485mW 485mW 285mW
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Grundproduktnummer PMDT290 PMDPB80 PMDPB80 PMDXB550
Verpackung / Gehäuse SOT-563, SOT-666 6-UFDFN Exposed Pad 6-UFDFN Exposed Pad 6-XFDFN Exposed Pad
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.68nC @ 4.5V 8.6nC @ 4.5V 8.6nC @ 4.5V 1.05nC @ 4.5V
Supplier Device-Gehäuse SOT-666 6-HUSON (2x2) 6-HUSON (2x2) DFN1010B-6
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 800mA 2.7A 2.7A 590mA
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate, 1.8V Drive Logic Level Gate, 1.8V Drive -

PMDT290UNE,115 Datenblatt PDF

Laden Sie PMDT290UNE,115 PDF -Datenblätter und Nexperia USA Inc. -Dokumentation für PMDT290UNE,115 - Nexperia USA Inc. herunter.

PCN -Verpackung
AEC-Q101 23-Aug-22.pdf Mult Dev Qual Chg 17/Jul/2021.pdf
Datenblätter
PMDT290UNE.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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  1. Telefon
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