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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysPMDXB550UNEZ
Nexperia USA Inc.
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

PMDXB550UNEZ - Nexperia USA Inc.

Hersteller Artikelnummer
PMDXB550UNEZ
Hersteller
Nexperia
Allelco Artikelnummer
32D-PMDXB550UNEZ
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 0.59A 6DFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-XFDFN Exposed Pad
Datenblatt
PMDXB550UNE.pdf
RoHS Status
vorrätig: 337070

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Anzahl

Spezifikation

PMDXB550UNEZ Tech -Spezifikationen
Nexperia USA Inc. - PMDXB550UNEZ Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Nexperia USA Inc. - PMDXB550UNEZ

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Nexperia  
VGS (th) (Max) @ Id 950mV @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse DFN1010B-6  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 670mOhm @ 590mA, 4.5V  
Leistung - max 285mW  
Verpackung / Gehäuse 6-XFDFN Exposed Pad  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 30.3pF @ 15V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.05nC @ 4.5V  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 590mA  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer PMDXB550  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Nexperia USA Inc. PMDXB550UNEZ.

Produkteigenschaften PMDXB550UNEZ PMDT290UNE,115 PMDPB80XP,115 PMDXB950UPE
Artikelnummer PMDXB550UNEZ PMDT290UNE,115 PMDPB80XP,115 PMDXB950UPE
Hersteller Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc. NXP USA Inc. Nexperia USA Inc.
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.05nC @ 4.5V 0.68nC @ 4.5V 8.6nC @ 4.5V 950mV @ 250µA
VGS (th) (Max) @ Id 950mV @ 250µA 950mV @ 250µA 1V @ 250µA 1.4 Ohm @ 500mA, 4.5V
Grundproduktnummer PMDXB550 PMDT290 PMDPB80 -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V 20V 20V Logic Level Gate
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 670mOhm @ 590mA, 4.5V 380mOhm @ 500mA, 4.5V 102mOhm @ 2.7A, 4.5V 500mA
FET-Merkmal - Logic Level Gate Logic Level Gate, 1.8V Drive 2 P-Channel (Dual)
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) -
Serie - Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ - TrenchFET®
Supplier Device-Gehäuse DFN1010B-6 SOT-666 6-HUSON (2x2) -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 30.3pF @ 15V 83pF @ 10V 550pF @ 10V 2.1nC @ 4.5V
Verpackung / Gehäuse 6-XFDFN Exposed Pad SOT-563, SOT-666 6-UFDFN Exposed Pad -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Leistung - max 285mW 500mW 485mW 265mW
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 590mA 800mA 2.7A 20V

PMDXB550UNEZ Datenblatt PDF

Laden Sie PMDXB550UNEZ PDF -Datenblätter und Nexperia USA Inc. -Dokumentation für PMDXB550UNEZ - Nexperia USA Inc. herunter.

PCN -Verpackung
All Dev Label Chgs 2/Aug/2020.pdf Label Chg 12/Mar/2017.pdf
Datenblätter
PMDXB550UNE.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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