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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysPMDPB80XP,115
NXP USA Inc.
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

PMDPB80XP,115 - NXP USA Inc.

Hersteller Artikelnummer
PMDPB80XP,115
Hersteller
NXP Semiconductors
Allelco Artikelnummer
32D-PMDPB80XP,115
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
NOW NEXPERIA PMDPB80XP - SMALL S
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-UFDFN Exposed Pad
Datenblatt
PMDPB80XP,115.pdf
vorrätig: 4610

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Anzahl

Spezifikation

PMDPB80XP,115 Tech -Spezifikationen
NXP USA Inc. - PMDPB80XP,115 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie NXP USA Inc. - PMDPB80XP,115

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller NXP Semiconductors  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 6-HUSON (2x2)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 102mOhm @ 2.7A, 4.5V  
Leistung - max 485mW  
Verpackung / Gehäuse 6-UFDFN Exposed Pad  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 550pF @ 10V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.6nC @ 4.5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate, 1.8V Drive  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.7A  
Konfiguration 2 P-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer PMDPB80  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie NXP USA Inc. PMDPB80XP,115.

Produkteigenschaften PMDPB80XP,115 PMDT290UNE,115 PMDPB70EN,115 PMDPB65UP,115
Artikelnummer PMDPB80XP,115 PMDT290UNE,115 PMDPB70EN,115 PMDPB65UP,115
Hersteller NXP USA Inc. Nexperia USA Inc. NXP USA Inc. NXP USA Inc.
Leistung - max 485mW 500mW 510mW 520mW
Konfiguration 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
Supplier Device-Gehäuse 6-HUSON (2x2) SOT-666 6-HUSON (2x2) 6-HUSON (2x2)
FET-Merkmal Logic Level Gate, 1.8V Drive Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 950mV @ 250µA 2.5V @ 250µA 1V @ 250µA
Grundproduktnummer PMDPB80 PMDT290 PMDPB70 PMDPB
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.7A 800mA 3.5A 3.5A
Verpackung / Gehäuse 6-UFDFN Exposed Pad SOT-563, SOT-666 6-UFDFN Exposed Pad 6-UDFN Exposed Pad
Serie - Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 102mOhm @ 2.7A, 4.5V 380mOhm @ 500mA, 4.5V 57mOhm @ 3.5A, 10V 70mOhm @ 1A, 4.5V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.6nC @ 4.5V 0.68nC @ 4.5V 4.5nC @ 10V 6nC @ 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V 20V 30V 20V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Paket Bulk Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 550pF @ 10V 83pF @ 10V 130pF @ 15V 380pF @ 10V

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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