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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelHAT1069C-EL-E
Renesas Electronics America Inc
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

HAT1069C-EL-E - Renesas Electronics America Inc

Hersteller Artikelnummer
HAT1069C-EL-E
Hersteller
Renesas Electronics Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-HAT1069C-EL-E
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 12V 4A 6CMFPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-SMD, Flat Leads
Datenblatt
HAT1069C.pdf
vorrätig: 4030

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Anzahl

Spezifikation

HAT1069C-EL-E Tech -Spezifikationen
Renesas Electronics America Inc - HAT1069C-EL-E Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Renesas Electronics America Inc - HAT1069C-EL-E

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Renesas Electronics Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 1.2V @ 1mA  
Vgs (Max) ±8V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 6-CMFPAK  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 52mOhm @ 1.5A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 900mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 6-SMD, Flat Leads  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1380 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 4.5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 12 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4A (Ta)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Renesas Electronics America Inc HAT1069C-EL-E.

Produkteigenschaften HAT1069C-EL-E HAT1091C-EL-E HAT1072H-EL-E HAT1089C-EL-E
Artikelnummer HAT1069C-EL-E HAT1091C-EL-E HAT1072H-EL-E HAT1089C-EL-E
Hersteller Renesas Electronics America Inc Renesas Renesas Electronics America Inc Renesas
Verlustleistung (max) 900mW (Ta) 830mW (Ta) 30W (Tc) 850mW (Ta)
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Bulk
Betriebstemperatur 150°C 150°C 150°C (TJ) 150°C
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V 2.5V, 4V 4.5V, 10V 2.5V, 4.5V
Vgs (Max) ±8V ±12V +10V, -20V ±12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 52mOhm @ 1.5A, 4.5V 175mOhm @ 800mA, 4.5V 4.5mOhm @ 20A, 10V 103mOhm @ 1A, 4.5V
Verpackung / Gehäuse 6-SMD, Flat Leads 6-SMD, Flat Leads SC-100, SOT-669 6-SMD, Flat Leads
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4A (Ta) 1.5A (Ta) 40A (Ta) 2A (Ta)
Serie - - - -
Typ FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
VGS (th) (Max) @ Id 1.2V @ 1mA 1.4V @ 1mA - 1.4V @ 1mA
Supplier Device-Gehäuse 6-CMFPAK 6-CMFPAK LFPAK 6-CMFPAK
FET-Merkmal - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 4.5 V 2.6 nC @ 4.5 V 155 nC @ 10 V 4.5 nC @ 4.5 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1380 pF @ 10 V 200 pF @ 10 V 9500 pF @ 10 V 365 pF @ 10 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Drain-Source-Spannung (Vdss) 12 V 20 V 30 V 20 V

HAT1069C-EL-E Datenblatt PDF

Laden Sie HAT1069C-EL-E PDF -Datenblätter und Renesas Electronics America Inc -Dokumentation für HAT1069C-EL-E - Renesas Electronics America Inc herunter.

PCN -Verpackung
Label Change-All Devices 01/Dec/2022.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 15/Dec/2018.pdf
Datenblätter
HAT1069C.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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