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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelHAT1072H-EL-E
Renesas Electronics America Inc
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

HAT1072H-EL-E - Renesas Electronics America Inc

Hersteller Artikelnummer
HAT1072H-EL-E
Hersteller
Renesas Electronics Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-HAT1072H-EL-E
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 40A LFPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SC-100, SOT-669
Datenblatt
HAT1072H-EL-E.pdf
RoHS Status
vorrätig: 3950

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Anzahl

Spezifikation

HAT1072H-EL-E Tech -Spezifikationen
Renesas Electronics America Inc - HAT1072H-EL-E Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Renesas Electronics America Inc - HAT1072H-EL-E

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Renesas Electronics Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id -  
Vgs (Max) +10V, -20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse LFPAK  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5mOhm @ 20A, 10V  
Verlustleistung (max) 30W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse SC-100, SOT-669  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9500 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 155 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 40A (Ta)  
Grundproduktnummer HAT1072  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Renesas Electronics America Inc HAT1072H-EL-E.

Produkteigenschaften HAT1072H-EL-E HAT1069C-EL-E HAT1089C-EL-E HAT1091C-EL-E
Artikelnummer HAT1072H-EL-E HAT1069C-EL-E HAT1089C-EL-E HAT1091C-EL-E
Hersteller Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc Renesas Renesas
FET-Merkmal - - - -
Grundproduktnummer HAT1072 - - -
Typ FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C 150°C 150°C
Serie - - - -
VGS (th) (Max) @ Id - 1.2V @ 1mA 1.4V @ 1mA 1.4V @ 1mA
Vgs (Max) +10V, -20V ±8V ±12V ±12V
Verpackung / Gehäuse SC-100, SOT-669 6-SMD, Flat Leads 6-SMD, Flat Leads 6-SMD, Flat Leads
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9500 pF @ 10 V 1380 pF @ 10 V 365 pF @ 10 V 200 pF @ 10 V
Supplier Device-Gehäuse LFPAK 6-CMFPAK 6-CMFPAK 6-CMFPAK
Verlustleistung (max) 30W (Tc) 900mW (Ta) 850mW (Ta) 830mW (Ta)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Bulk
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 155 nC @ 10 V 16 nC @ 4.5 V 4.5 nC @ 4.5 V 2.6 nC @ 4.5 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 12 V 20 V 20 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 40A (Ta) 4A (Ta) 2A (Ta) 1.5A (Ta)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 1.8V, 4.5V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5mOhm @ 20A, 10V 52mOhm @ 1.5A, 4.5V 103mOhm @ 1A, 4.5V 175mOhm @ 800mA, 4.5V

HAT1072H-EL-E Datenblatt PDF

Laden Sie HAT1072H-EL-E PDF -Datenblätter und Renesas Electronics America Inc -Dokumentation für HAT1072H-EL-E - Renesas Electronics America Inc herunter.

PCN -Verpackung
Label Change-All Devices 01/Dec/2022.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Asien Indien 4
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DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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