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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelHAT1089C-EL-E
Renesas
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HAT1089C-EL-E - Renesas

Hersteller Artikelnummer
HAT1089C-EL-E
Hersteller
Renesas Electronics Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-HAT1089C-EL-E
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
HAT1089C - Pch Single Power Mosf
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-SMD, Flat Leads
Datenblatt
HAT1089C-EL-E.pdf
vorrätig: 3690

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Spezifikation

HAT1089C-EL-E Tech -Spezifikationen
Renesas - HAT1089C-EL-E Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Renesas - HAT1089C-EL-E

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Renesas Electronics Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 1.4V @ 1mA  
Vgs (Max) ±12V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 6-CMFPAK  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 103mOhm @ 1A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 850mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 6-SMD, Flat Leads  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 365 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.5 nC @ 4.5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2A (Ta)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Renesas HAT1089C-EL-E.

Produkteigenschaften HAT1089C-EL-E HAT1091C-EL-E HAT1069C-EL-E HAT1072H-EL-E
Artikelnummer HAT1089C-EL-E HAT1091C-EL-E HAT1069C-EL-E HAT1072H-EL-E
Hersteller Renesas Renesas Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc
Vgs (Max) ±12V ±12V ±8V +10V, -20V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 20 V 12 V 30 V
Supplier Device-Gehäuse 6-CMFPAK 6-CMFPAK 6-CMFPAK LFPAK
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 2.5V, 4V 1.8V, 4.5V 4.5V, 10V
Verlustleistung (max) 850mW (Ta) 830mW (Ta) 900mW (Ta) 30W (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Bulk Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 6-SMD, Flat Leads 6-SMD, Flat Leads 6-SMD, Flat Leads SC-100, SOT-669
Betriebstemperatur 150°C 150°C 150°C 150°C (TJ)
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 103mOhm @ 1A, 4.5V 175mOhm @ 800mA, 4.5V 52mOhm @ 1.5A, 4.5V 4.5mOhm @ 20A, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 365 pF @ 10 V 200 pF @ 10 V 1380 pF @ 10 V 9500 pF @ 10 V
Serie - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2A (Ta) 1.5A (Ta) 4A (Ta) 40A (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.5 nC @ 4.5 V 2.6 nC @ 4.5 V 16 nC @ 4.5 V 155 nC @ 10 V
VGS (th) (Max) @ Id 1.4V @ 1mA 1.4V @ 1mA 1.2V @ 1mA -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Typ FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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