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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTD7LN80K5
STD7LN80K5 Image
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STD7LN80K5 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STD7LN80K5
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STD7LN80K5
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 5A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
Spice Model Tutorial for Power MOSFETS.pdf
STD7LN80K5 Datasheet.pdf
RoHS Status
vorrätig: 45026

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Spezifikation

STD7LN80K5 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STD7LN80K5 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STD7LN80K5

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse DPAK  
Serie MDmesh™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.15Ohm @ 2.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 85W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 270 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5A (Tc)  
Grundproduktnummer STD7LN80  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STD7LN80K5.

Produkteigenschaften STD7LN80K5 STD70NS04ZL STD7N65M6 STD7N52K3
Artikelnummer STD7LN80K5 STD70NS04ZL STD7N65M6 STD7N52K3
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
FET-Merkmal - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V 33 V 650 V 525 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 10 V 32 nC @ 5 V 6.9 nC @ 10 V 34 nC @ 10 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 270 pF @ 100 V 1800 pF @ 25 V 220 pF @ 100 V 737 pF @ 100 V
Serie MDmesh™ SAFeFET™ MDmesh™ M6 SuperMESH3™
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Supplier Device-Gehäuse DPAK DPAK D-PAK (TO-252) DPAK
Vgs (Max) ±30V ±20V ±25V ±30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.15Ohm @ 2.5A, 10V 10.5mOhm @ 30A, 10V 990mOhm @ 2.5A, 10V 980mOhm @ 3.1A, 10V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 5V, 10V 10V 10V
Grundproduktnummer STD7LN80 STD70 STD7N65 STD7N52
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5A (Tc) 70A (Tc) 5A (Tc) 6A (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA 3V @ 1mA 3.75V @ 250µA 4.5V @ 50µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Verlustleistung (max) 85W (Tc) 110W (Tc) 60W (Tc) 90W (Tc)

STD7LN80K5 Datenblatt PDF

Laden Sie STD7LN80K5 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STD7LN80K5 - STMicroelectronics herunter.

PCN -Verpackung
Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Assembly Site 22/Dec/2022.pdf
Datenblätter
Spice Model Tutorial for Power MOSFETS.pdf STD7LN80K5 Datasheet.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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32D-STD7LN80K5

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