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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTD7N60DM2
STMicroelectronics
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

STD7N60DM2 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STD7N60DM2
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STD7N60DM2
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 6A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
STD7N60DM2.pdf
RoHS Status
vorrätig: 78740

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Spezifikation

STD7N60DM2 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STD7N60DM2 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STD7N60DM2

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 4.75V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D-PAK (TO-252)  
Serie MDmesh™ DM2  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 900mOhm @ 3A, 10V  
Verlustleistung (max) 60W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 324 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.5 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6A (Tc)  
Grundproduktnummer STD7N60  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STD7N60DM2.

Produkteigenschaften STD7N60DM2 STD7N60M6 STD7N80K5 STD7N65M2
Artikelnummer STD7N60DM2 STD7N60M6 STD7N80K5 STD7N65M2
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V ±25V ±30V ±25V
Supplier Device-Gehäuse D-PAK (TO-252) D-PAK (TO-252) DPAK DPAK
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 600 V 800 V 650 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 900mOhm @ 3A, 10V 900mOhm @ 2.5A, 10V 1.2Ohm @ 3A, 10V 1.15Ohm @ 2.5A, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 4.75V @ 250µA 4.75V @ 250µA 5V @ 100µA 4V @ 250µA
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Grundproduktnummer STD7N60 STD7 STD7N80 STD7N65
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6A (Tc) 5.8A (Tc) 6A (Tc) 5A (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 324 pF @ 100 V 237 pF @ 100 V 360 pF @ 100 V 270 pF @ 100 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.5 nC @ 10 V 5.1 nC @ 10 V 13.4 nC @ 10 V 9 nC @ 10 V
Verlustleistung (max) 60W (Tc) 72W (Tc) 110W (Tc) 60W (Tc)
Serie MDmesh™ DM2 - SuperMESH5™ MDmesh™

STD7N60DM2 Datenblatt PDF

Laden Sie STD7N60DM2 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STD7N60DM2 - STMicroelectronics herunter.

PCN -Verpackung
Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdf
Datenblätter
STD7N60DM2.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Asien Indien 4
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DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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