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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTD7N60M2
STD7N60M2 Image
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STD7N60M2 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STD7N60M2
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STD7N60M2
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
STx7N60M2.pdf
RoHS Status
vorrätig: 59410

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Spezifikation

STD7N60M2 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STD7N60M2 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STD7N60M2

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse DPAK  
Serie MDmesh™ II Plus  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 950mOhm @ 2.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 60W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 271 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.8 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5A (Tc)  
Grundproduktnummer STD7N60  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STD7N60M2.

Produkteigenschaften STD7N60M2 STD7N90K5 STD7N52DK3 STD7ANM60N
Artikelnummer STD7N60M2 STD7N90K5 STD7N52DK3 STD7ANM60N
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 5V @ 100µA 4.5V @ 50µA 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 950mOhm @ 2.5A, 10V - 1.15Ohm @ 3A, 10V 900mOhm @ 2.5A, 10V
Verlustleistung (max) 60W (Tc) 110W (Tc) 90W (Tc) 45W (Tc)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5A (Tc) 7A (Tc) 6A (Tc) 5A (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 271 pF @ 100 V - 870 pF @ 50 V 363 pF @ 50 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device-Gehäuse DPAK DPAK DPAK DPAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.8 nC @ 10 V - 33 nC @ 10 V 14 nC @ 10 V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Serie MDmesh™ II Plus MDmesh™ K5 SuperFREDmesh3™ Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ II
FET-Merkmal - - - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V ±30V ±30V ±25V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Grundproduktnummer STD7N60 STD7 STD7 STD7ANM60
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 900 V 525 V 600 V

STD7N60M2 Datenblatt PDF

Laden Sie STD7N60M2 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STD7N60M2 - STMicroelectronics herunter.

PCN -Verpackung
Reel Design Change 22/Aug/2022.pdf
Datenblätter
STx7N60M2.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STD7N60M2

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32D-STD7N60M2

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