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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTE180NE10
STE180NE10 Image
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STE180NE10 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STE180NE10
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STE180NE10
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 180A ISOTOP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
ISOTOP
Datenblatt
STE180NE10.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4850

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Spezifikation

STE180NE10 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STE180NE10 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STE180NE10

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse ISOTOP®  
Serie STripFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6Ohm @ 40A, 10V  
Verlustleistung (max) 360W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse ISOTOP  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Chassis Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 21000 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 795 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 180A (Tc)  
Grundproduktnummer STE1  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STE180NE10.

Produkteigenschaften STE180NE10 STE26NA90 STE250NS10 STE140NF20D
Artikelnummer STE180NE10 STE26NA90 STE250NS10 STE140NF20D
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 21000 pF @ 25 V 1770 pF @ 25 V 31000 pF @ 25 V 11100 pF @ 25 V
FET-Merkmal - - - -
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±20V
Paket Tube Tube Tube Tube
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 180A (Tc) 26A (Tc) 220A (Tc) 140A (Tc)
Verlustleistung (max) 360W (Tc) 450W (Tc) 500W (Tc) 500W (Tc)
Supplier Device-Gehäuse ISOTOP® ISOTOP® ISOTOP® ISOTOP
Grundproduktnummer STE1 STE26 STE250 STE1
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6Ohm @ 40A, 10V 300mOhm @ 13A, 10V 5.5mOhm @ 125A, 10V 12mOhm @ 70A, 10V
Verpackung / Gehäuse ISOTOP ISOTOP ISOTOP ISOTOP
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 795 nC @ 10 V 660 nC @ 10 V 900 nC @ 10 V 338 nC @ 10 V
Serie STripFET™ - STripFET™ STripFET™ II
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 900 V 100 V 200 V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 3.75V @ 1mA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount

STE180NE10 Datenblatt PDF

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Datenblätter
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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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