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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTE250NS10
STMicroelectronics
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

STE250NS10 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STE250NS10
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STE250NS10
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 220A ISOTOP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
ISOTOP
Datenblatt
STE250NS10.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4580

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Anzahl

Spezifikation

STE250NS10 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STE250NS10 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STE250NS10

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse ISOTOP®  
Serie STripFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5mOhm @ 125A, 10V  
Verlustleistung (max) 500W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse ISOTOP  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Chassis Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 31000 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 900 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 220A (Tc)  
Grundproduktnummer STE250  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STE250NS10.

Produkteigenschaften STE250NS10 STE145N65M5 STE26NA90 STE180NE10
Artikelnummer STE250NS10 STE145N65M5 STE26NA90 STE180NE10
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie STripFET™ MDmesh™ V - STripFET™
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 650 V 900 V 100 V
Supplier Device-Gehäuse ISOTOP® ISOTOP® ISOTOP® ISOTOP®
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 31000 pF @ 25 V 18500 pF @ 100 V 1770 pF @ 25 V 21000 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±20V ±25V ±30V ±20V
Grundproduktnummer STE250 STE145 STE26 STE1
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 220A (Tc) 143A (Tc) 26A (Tc) 180A (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 5V @ 250µA 3.75V @ 1mA 4V @ 250µA
Verpackung / Gehäuse ISOTOP ISOTOP ISOTOP ISOTOP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 900 nC @ 10 V 414 nC @ 10 V 660 nC @ 10 V 795 nC @ 10 V
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
FET-Merkmal - - - -
Paket Tube Tube Tube Tube
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verlustleistung (max) 500W (Tc) 679W (Tc) 450W (Tc) 360W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5mOhm @ 125A, 10V 15mOhm @ 69A, 10V 300mOhm @ 13A, 10V 6Ohm @ 40A, 10V
Befestigungsart Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount

STE250NS10 Datenblatt PDF

Laden Sie STE250NS10 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STE250NS10 - STMicroelectronics herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Devices 27/Dec/2013.pdf
Datenblätter
STE250NS10.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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