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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTE26NA90
STE26NA90 Image
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STE26NA90 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STE26NA90
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STE26NA90
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 900V 26A ISOTOP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
ISOTOP
Datenblatt
STE26NA90.pdf
vorrätig: 5060

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Spezifikation

STE26NA90 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STE26NA90 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STE26NA90

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 3.75V @ 1mA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse ISOTOP®  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 300mOhm @ 13A, 10V  
Verlustleistung (max) 450W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse ISOTOP  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Chassis Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1770 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 660 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 900 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 26A (Tc)  
Grundproduktnummer STE26  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STE26NA90.

Produkteigenschaften STE26NA90 STE250NS10 STE180NE10 STE30NK90Z
Artikelnummer STE26NA90 STE250NS10 STE180NE10 STE30NK90Z
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Grundproduktnummer STE26 STE250 STE1 STE30
Rds On (Max) @ Id, Vgs 300mOhm @ 13A, 10V 5.5mOhm @ 125A, 10V 6Ohm @ 40A, 10V 260mOhm @ 14A, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 660 nC @ 10 V 900 nC @ 10 V 795 nC @ 10 V 490 nC @ 10 V
VGS (th) (Max) @ Id 3.75V @ 1mA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4.5V @ 150µA
FET-Merkmal - - - -
Serie - STripFET™ STripFET™ SuperMESH™
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1770 pF @ 25 V 31000 pF @ 25 V 21000 pF @ 25 V 12000 pF @ 25 V
Paket Tube Tube Tube Tube
Supplier Device-Gehäuse ISOTOP® ISOTOP® ISOTOP® ISOTOP®
Verpackung / Gehäuse ISOTOP ISOTOP ISOTOP ISOTOP
Befestigungsart Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 26A (Tc) 220A (Tc) 180A (Tc) 28A (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 900 V 100 V 100 V 900 V
Verlustleistung (max) 450W (Tc) 500W (Tc) 360W (Tc) 500W (Tc)
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±30V

STE26NA90 Datenblatt PDF

Laden Sie STE26NA90 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STE26NA90 - STMicroelectronics herunter.

Datenblätter
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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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