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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTF12NK60Z
STF12NK60Z Image
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STF12NK60Z - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STF12NK60Z
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STF12NK60Z
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
STx12NK60Z.pdf
RoHS Status
vorrätig: 20620

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Anzahl

Spezifikation

STF12NK60Z Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STF12NK60Z Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STF12NK60Z

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220FP  
Serie SuperMESH™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 640mOhm @ 5A, 10V  
Verlustleistung (max) 35W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1740 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 59 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10A (Tc)  
Grundproduktnummer STF12  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STF12NK60Z.

Produkteigenschaften STF12NK60Z STF12N65M2 STF12N65M5 STF12N50DM2
Artikelnummer STF12NK60Z STF12N65M2 STF12N65M5 STF12N50DM2
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Vgs (Max) ±30V ±25V ±25V ±25V
Paket Tube Tube Tube Tube
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10A (Tc) 8A (Tc) 8.5A (Tc) 11A (Tc)
Grundproduktnummer STF12 STF12 STF12 STF12
Serie SuperMESH™ MDmesh™ M2 MDmesh™ V MDmesh™ DM2
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) 35W (Tc) 25W (Tc) 25W (Tc) 25W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 59 nC @ 10 V 16.5 nC @ 10 V 22 nC @ 10 V 16 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 640mOhm @ 5A, 10V 500mOhm @ 4A, 10V 430mOhm @ 4.3A, 10V 350mOhm @ 5.5A, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 650 V 650 V 500 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1740 pF @ 25 V 535 pF @ 100 V 900 pF @ 100 V 628 pF @ 100 V
FET-Merkmal - - - -
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-5 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Supplier Device-Gehäuse TO-220FP TO-220FP TO-220FP TO-220FP

STF12NK60Z Datenblatt PDF

Laden Sie STF12NK60Z PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STF12NK60Z - STMicroelectronics herunter.

PCN -Baugruppe/Herkunft
IPG/14/8597 17/Jul/2014.pdf
Datenblätter
STx12NK60Z.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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