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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTF12NM50ND
STF12NM50ND Image
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STF12NM50ND - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STF12NM50ND
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STF12NM50ND
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 11A TO220FP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
STF12NM50ND.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5390

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Anzahl

Spezifikation

STF12NM50ND Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STF12NM50ND Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STF12NM50ND

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220FP  
Serie FDmesh™ II  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380mOhm @ 5.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 25W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 850 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11A (Tc)  
Grundproduktnummer STF12  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STF12NM50ND.

Produkteigenschaften STF12NM50ND STF130N10F3 STF12N65M5 STF12PF06
Artikelnummer STF12NM50ND STF130N10F3 STF12N65M5 STF12PF06
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Verlustleistung (max) 25W (Tc) 35W (Tc) 25W (Tc) 225W (Tc)
Supplier Device-Gehäuse TO-220FP TO-220FP TO-220FP TO-220FP
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-5 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Vgs (Max) ±25V ±20V ±25V ±20V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 850 pF @ 50 V 3305 pF @ 25 V 900 pF @ 100 V 850 pF @ 25 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380mOhm @ 5.5A, 10V 9.6mOhm @ 23A, 10V 430mOhm @ 4.3A, 10V 200mOhm @ 10A, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11A (Tc) 46A (Tc) 8.5A (Tc) 8A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V 57 nC @ 10 V 22 nC @ 10 V 21 nC @ 10 V
Betriebstemperatur 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Paket Tube Tube Tube Tube
FET-Merkmal - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V 100 V 650 V 60 V
Grundproduktnummer STF12 STF13 STF12 STF12
Serie FDmesh™ II STripFET™ III MDmesh™ V STripFET™ II
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole

STF12NM50ND Datenblatt PDF

Laden Sie STF12NM50ND PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STF12NM50ND - STMicroelectronics herunter.

PCN -Verpackung
Box Label Chg 28/Jul/2016.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Assembly Location Expansion 05/Mar/2014.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 17/Oct/2018.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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