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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTF16N65M5
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STF16N65M5 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STF16N65M5
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STF16N65M5
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 12A TO220FP
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
STx16N65M5.pdf
RoHS Status
Unsere Zertifizierung
vorrätig: 20613

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Spezifikation

STF16N65M5 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STF16N65M5 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STF16N65M5

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220FP  
Serie MDmesh™ V  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 299mOhm @ 6A, 10V  
Verlustleistung (max) 25W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1250 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12A (Tc)  
Grundproduktnummer STF16  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STF16N65M5.

Produkteigenschaften STF16N65M5 STF16N60M6 STF16N65M2 STF15NM65N
Artikelnummer STF16N65M5 STF16N60M6 STF16N65M2 STF15NM65N
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Serie MDmesh™ V UltraFASTmesh™ MDmesh™ M2 MDmesh™ II
Rds On (Max) @ Id, Vgs 299mOhm @ 6A, 10V 320mOhm @ 6A, 10V 360mOhm @ 5.5A, 10V 380mOhm @ 6A, 10V
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Grundproduktnummer STF16 STF16 STF16 STF15
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Betriebstemperatur 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1250 pF @ 100 V 575 pF @ 100 V 718 pF @ 100 V 983 pF @ 50 V
Verlustleistung (max) 25W (Tc) 25W (Tc) 25W (Tc) 30W (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET-Merkmal - - - -
Vgs (Max) ±25V ±25V ±25V ±25V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V 600 V 650 V 650 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12A (Tc) 12A (Tc) 11A (Tc) 12A (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 10 V 16.7 nC @ 10 V 19.5 nC @ 10 V 33.3 nC @ 10 V
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4.75V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse TO-220FP TO-220FP TO-220FP TO-220FP
Paket Tube Tube Tube Tube

STF16N65M5 Datenblatt PDF

Laden Sie STF16N65M5 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STF16N65M5 - STMicroelectronics herunter.

PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Devices 27/Feb/2019.pdf
Datenblätter
STx16N65M5.pdf

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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mögliche Zahlungsmitteln

Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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