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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTF17N80K5
STF17N80K5 Image
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STF17N80K5 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STF17N80K5
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STF17N80K5
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 14A TO220FP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
STF17N80K5.pdf
RoHS Status
vorrätig: 16585

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Spezifikation

STF17N80K5 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STF17N80K5 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STF17N80K5

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220FP  
Serie MDmesh™ K5  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 340mOhm @ 7A, 10V  
Verlustleistung (max) 30W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 866 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 14A (Tc)  
Grundproduktnummer STF17  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STF17N80K5.

Produkteigenschaften STF17N80K5 STF16N65M5 STF16N60M6 STF16NM50N
Artikelnummer STF17N80K5 STF16N65M5 STF16N60M6 STF16NM50N
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Supplier Device-Gehäuse TO-220FP TO-220FP TO-220FP TO-220FP
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26 nC @ 10 V 45 nC @ 10 V 16.7 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 14A (Tc) 12A (Tc) 12A (Tc) 15A (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) 30W (Tc) 25W (Tc) 25W (Tc) 30W (Tc)
FET-Merkmal - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 4.75V @ 250µA 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 340mOhm @ 7A, 10V 299mOhm @ 6A, 10V 320mOhm @ 6A, 10V 260mOhm @ 7.5A, 10V
Grundproduktnummer STF17 STF16 STF16 STF16
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Paket Tube Tube Tube Tube
Serie MDmesh™ K5 MDmesh™ V UltraFASTmesh™ MDmesh™ II
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 866 pF @ 100 V 1250 pF @ 100 V 575 pF @ 100 V 1200 pF @ 50 V
Vgs (Max) ±30V ±25V ±25V ±25V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V 650 V 600 V 500 V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack

STF17N80K5 Datenblatt PDF

Laden Sie STF17N80K5 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STF17N80K5 - STMicroelectronics herunter.

Datenblätter
STF17N80K5.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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