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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTF16NK60Z
STF16NK60Z Image
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STF16NK60Z - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STF16NK60Z
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STF16NK60Z
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 14A TO220FP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
STx16NK60Z.pdf
RoHS Status
vorrätig: 3870

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Anzahl

Spezifikation

STF16NK60Z Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STF16NK60Z Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STF16NK60Z

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220FP  
Serie SuperMESH™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 420mOhm @ 7A, 10V  
Verlustleistung (max) 40W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2650 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 86 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 14A (Tc)  
Grundproduktnummer STF16  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STF16NK60Z.

Produkteigenschaften STF16NK60Z STF16N60M6 STF16NM50N STF18N60DM2
Artikelnummer STF16NK60Z STF16N60M6 STF16NM50N STF18N60DM2
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2650 pF @ 25 V 575 pF @ 100 V 1200 pF @ 50 V 800 pF @ 100 V
Grundproduktnummer STF16 STF16 STF16 STF18
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Supplier Device-Gehäuse TO-220FP TO-220FP TO-220FP TO-220FP
Verlustleistung (max) 40W (Tc) 25W (Tc) 30W (Tc) 25W (Tc)
Vgs (Max) ±30V ±25V ±25V ±25V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Serie SuperMESH™ UltraFASTmesh™ MDmesh™ II MDmesh™ DM2
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 600 V 500 V 600 V
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA 4.75V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 86 nC @ 10 V 16.7 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 420mOhm @ 7A, 10V 320mOhm @ 6A, 10V 260mOhm @ 7.5A, 10V 295mOhm @ 6A, 10V
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Paket Tube Tube Tube Tube
FET-Merkmal - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 14A (Tc) 12A (Tc) 15A (Tc) 13A (Tc)

STF16NK60Z Datenblatt PDF

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Datenblätter
STx16NK60Z.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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