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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTF18NM80
STF18NM80 Image
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STF18NM80 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STF18NM80
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STF18NM80
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 17A TO220FP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
STx18NM80.pdf
RoHS Status
vorrätig: 9683

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Spezifikation

STF18NM80 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STF18NM80 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STF18NM80

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220FP  
Serie MDmesh™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 295mOhm @ 8.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 40W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2070 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 70 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 17A (Tc)  
Grundproduktnummer STF18  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STF18NM80.

Produkteigenschaften STF18NM80 STF18N60M2 STF19NF20 STF18N60DM2
Artikelnummer STF18NM80 STF18N60M2 STF19NF20 STF18N60DM2
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 70 nC @ 10 V 21.5 nC @ 10 V 24 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Vgs (Max) ±30V ±25V ±20V ±25V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Tube Tube Tube Tube
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2070 pF @ 50 V 791 pF @ 100 V 800 pF @ 25 V 800 pF @ 100 V
Betriebstemperatur 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 295mOhm @ 8.5A, 10V 280mOhm @ 6.5A, 10V 160mOhm @ 7.5A, 10V 295mOhm @ 6A, 10V
Serie MDmesh™ MDmesh™ II Plus MESH OVERLAY™ MDmesh™ DM2
Grundproduktnummer STF18 STF18 STF19 STF18
Verlustleistung (max) 40W (Tc) 25W (Tc) 25W (Tc) 25W (Tc)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 17A (Tc) 13A (Tc) 15A (Tc) 13A (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V 600 V 200 V 600 V
Supplier Device-Gehäuse TO-220FP TO-220FP TO-220FP TO-220FP

STF18NM80 Datenblatt PDF

Laden Sie STF18NM80 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STF18NM80 - STMicroelectronics herunter.

PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Devices 27/Feb/2019.pdf
Datenblätter
STx18NM80.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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