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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTF18N60DM2
STF18N60DM2 Image
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STF18N60DM2 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STF18N60DM2
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STF18N60DM2
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 13A TO220FP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
STF18N60DM2.pdf
RoHS Status
vorrätig: 29795

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Anzahl

Spezifikation

STF18N60DM2 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STF18N60DM2 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STF18N60DM2

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220FP  
Serie MDmesh™ DM2  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 295mOhm @ 6A, 10V  
Verlustleistung (max) 25W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 800 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 13A (Tc)  
Grundproduktnummer STF18  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STF18N60DM2.

Produkteigenschaften STF18N60DM2 STF16NM50N STF17NF25 STF18N65M5
Artikelnummer STF18N60DM2 STF16NM50N STF17NF25 STF18N65M5
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Verlustleistung (max) 25W (Tc) 30W (Tc) 25W (Tc) 25W (Tc)
Paket Tube Tube Tube Tube
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 295mOhm @ 6A, 10V 260mOhm @ 7.5A, 10V 165mOhm @ 8.5A, 10V 220mOhm @ 7.5A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 13A (Tc) 15A (Tc) 17A (Tc) 15A (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V 29.5 nC @ 10 V 31 nC @ 10 V
FET-Merkmal - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 500 V 250 V 650 V
Supplier Device-Gehäuse TO-220FP TO-220FP TO-220FP TO-220FP
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (Max) ±25V ±25V ±20V ±25V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 800 pF @ 100 V 1200 pF @ 50 V 1000 pF @ 25 V 1240 pF @ 100 V
Grundproduktnummer STF18 STF16 STF17 STF18
Serie MDmesh™ DM2 MDmesh™ II STripFET™ II MDmesh™ V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V

STF18N60DM2 Datenblatt PDF

Laden Sie STF18N60DM2 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STF18N60DM2 - STMicroelectronics herunter.

PCN -Baugruppe/Herkunft
Wafer 15/Feb/2019.pdf
Datenblätter
STF18N60DM2.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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