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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTF19NF20
STF19NF20 Image
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STF19NF20 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STF19NF20
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STF19NF20
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 15A TO220FP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
STx19NF20.pdf
RoHS Status
vorrätig: 58920

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Anzahl

Spezifikation

STF19NF20 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STF19NF20 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STF19NF20

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220FP  
Serie MESH OVERLAY™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160mOhm @ 7.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 25W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 800 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 15A (Tc)  
Grundproduktnummer STF19  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STF19NF20.

Produkteigenschaften STF19NF20 STF18NM80 STF18NM60N STF18N60M2
Artikelnummer STF19NF20 STF18NM80 STF18NM60N STF18N60M2
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Vgs (Max) ±20V ±30V ±25V ±25V
Grundproduktnummer STF19 STF18 STF18 STF18
Supplier Device-Gehäuse TO-220FP TO-220FP TO-220FP TO-220FP
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 800 pF @ 25 V 2070 pF @ 50 V 1000 pF @ 50 V 791 pF @ 100 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 15A (Tc) 17A (Tc) 13A (Tc) 13A (Tc)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) 25W (Tc) 40W (Tc) 30W (Tc) 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160mOhm @ 7.5A, 10V 295mOhm @ 8.5A, 10V 285mOhm @ 6.5A, 10V 280mOhm @ 6.5A, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V 800 V 600 V 600 V
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Serie MESH OVERLAY™ MDmesh™ MDmesh™ II MDmesh™ II Plus
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 10 V 70 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V 21.5 nC @ 10 V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Paket Tube Tube Tube Tube

STF19NF20 Datenblatt PDF

Laden Sie STF19NF20 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STF19NF20 - STMicroelectronics herunter.

PCN -Verpackung
Box Label Chg 28/Jul/2016.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Assembly Location Expansion 05/Mar/2014.pdf
Datenblätter
STx19NF20.pdf

Lieferung

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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