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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTF20N20
STF20N20 Image
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STF20N20 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STF20N20
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STF20N20
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 18A TO220FP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
STx20N20.pdf
RoHS Status
vorrätig: 3900

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Anzahl

Spezifikation

STF20N20 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STF20N20 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STF20N20

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220FP  
Serie STripFET™ II  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 125mOhm @ 10A, 10V  
Verlustleistung (max) 25W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 940 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 18A (Ta)  
Grundproduktnummer STF20  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STF20N20.

Produkteigenschaften STF20N20 STF20NF20 STF20NF06L STF20N60M2-EP
Artikelnummer STF20N20 STF20NF20 STF20NF06L STF20N60M2-EP
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Serie STripFET™ II STripFET™ STripFET™ II MDmesh™ M2-EP
Rds On (Max) @ Id, Vgs 125mOhm @ 10A, 10V 125mOhm @ 10A, 10V 70mOhm @ 10A, 10V -
Paket Tube Tube Tube Tube
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) 150°C (TJ)
Grundproduktnummer STF20 STF20 STF20 STF20
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4.75V @ 250µA
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 940 pF @ 25 V 940 pF @ 25 V 400 pF @ 25 V -
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 18A (Ta) 18A (Tc) 20A (Tc) 13A (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±18V ±25V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 5V, 10V 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39 nC @ 10 V 39 nC @ 10 V 7.5 nC @ 10 V 22 nC @ 10 V
Supplier Device-Gehäuse TO-220FP TO-220FP TO-220FP TO-220FP
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V 200 V 60 V 600 V
Verlustleistung (max) 25W (Tc) 30W (Tc) 28W (Tc) -
FET-Merkmal - - - -

STF20N20 Datenblatt PDF

Laden Sie STF20N20 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STF20N20 - STMicroelectronics herunter.

Datenblätter
STx20N20.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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