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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTF20NF06
STF20NF06 Image
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STF20NF06 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STF20NF06
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STF20NF06
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 20A TO220FP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
ST(F,P)20NF06.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4210

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Spezifikation

STF20NF06 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STF20NF06 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STF20NF06

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220FP  
Serie STripFET™ II  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 10A, 10V  
Verlustleistung (max) 28W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 400 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20A (Tc)  
Grundproduktnummer STF20  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STF20NF06.

Produkteigenschaften STF20NF06 STF20N20 STF20N65M5 STF20NF20
Artikelnummer STF20NF06 STF20N20 STF20N65M5 STF20NF20
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 10A, 10V 125mOhm @ 10A, 10V 190mOhm @ 9A, 10V 125mOhm @ 10A, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±25V ±20V
Paket Tube Tube Tube Tube
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse TO-220FP TO-220FP TO-220FP TO-220FP
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20A (Tc) 18A (Ta) 18A (Tc) 18A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V 39 nC @ 10 V 45 nC @ 10 V 39 nC @ 10 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie STripFET™ II STripFET™ II MDmesh™ V STripFET™
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 200 V 650 V 200 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 400 pF @ 25 V 940 pF @ 25 V 1345 pF @ 100 V 940 pF @ 25 V
Grundproduktnummer STF20 STF20 STF20 STF20
Verlustleistung (max) 28W (Tc) 25W (Tc) 30W (Tc) 30W (Tc)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
FET-Merkmal - - - -

STF20NF06 Datenblatt PDF

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Datenblätter
ST(F,P)20NF06.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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