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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTF20N60M2-EP
STF20N60M2-EP Image
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STF20N60M2-EP - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STF20N60M2-EP
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STF20N60M2-EP
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 13A TO220FP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
STF20N60M2-EP.pdf
RoHS Status
vorrätig: 23888

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Spezifikation

STF20N60M2-EP Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STF20N60M2-EP Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STF20N60M2-EP

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 4.75V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220FP  
Serie MDmesh™ M2-EP  
Rds On (Max) @ Id, Vgs -  
Verlustleistung (max) -  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 13A (Tc)  
Grundproduktnummer STF20  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STF20N60M2-EP.

Produkteigenschaften STF20N60M2-EP STF20NF20 STF20N65M5 STF20N90K5
Artikelnummer STF20N60M2-EP STF20NF20 STF20N65M5 STF20N90K5
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Supplier Device-Gehäuse TO-220FP TO-220FP TO-220FP TO-220FP
Paket Tube Tube Tube Tube
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Vgs (Max) ±25V ±20V ±25V ±30V
Betriebstemperatur 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 200 V 650 V 900 V
Serie MDmesh™ M2-EP STripFET™ MDmesh™ V MDmesh™ K5
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 10 V 39 nC @ 10 V 45 nC @ 10 V 40 nC @ 10 V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Verlustleistung (max) - 30W (Tc) 30W (Tc) 40W (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs - 125mOhm @ 10A, 10V 190mOhm @ 9A, 10V 250mOhm @ 10A, 10V
Grundproduktnummer STF20 STF20 STF20 STF20
FET-Merkmal - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 4.75V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 100µA
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 13A (Tc) 18A (Tc) 18A (Tc) 20A (Tc)

STF20N60M2-EP Datenblatt PDF

Laden Sie STF20N60M2-EP PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STF20N60M2-EP - STMicroelectronics herunter.

Datenblätter
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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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