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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTFI13N95K3
STMicroelectronics
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STFI13N95K3 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STFI13N95K3
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STFI13N95K3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N CH 950V 10A I2PAKFP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-262-3 Full Pack, I²Pak
Datenblatt
STx(I)13N95K3.pdf
RoHS Status
vorrätig: 8231

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Spezifikation

STFI13N95K3 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STFI13N95K3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STFI13N95K3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse I2PAKFP (TO-281)  
Serie SuperMESH3™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 850mOhm @ 5A, 10V  
Verlustleistung (max) 40W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Full Pack, I²Pak  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1620 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 51 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 950 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10A (Tc)  
Grundproduktnummer STFI13N  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STFI13N95K3.

Produkteigenschaften STFI13N95K3 STF9NM60N STFI11N65M2 STF9NK90Z
Artikelnummer STFI13N95K3 STF9NM60N STFI11N65M2 STF9NK90Z
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Supplier Device-Gehäuse I2PAKFP (TO-281) TO-220FP I2PAKFP (TO-281) TO-220FP
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) 40W (Tc) 25W (Tc) 25W (Tc) 40W (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4.5V @ 100µA
Vgs (Max) ±30V ±25V ±25V ±30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 51 nC @ 10 V 17.4 nC @ 10 V 12.5 nC @ 10 V 72 nC @ 10 V
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Full Pack, I²Pak TO-220-3 Full Pack TO-262-3 Full Pack, I²Pak TO-220-3 Full Pack
Rds On (Max) @ Id, Vgs 850mOhm @ 5A, 10V 745mOhm @ 3.25A, 10V 670mOhm @ 3.5A, 10V 1.3Ohm @ 3.6A, 10V
Paket Tube Tube Tube Tube
Drain-Source-Spannung (Vdss) 950 V 600 V 650 V 900 V
Grundproduktnummer STFI13N STF9NM60 STFI11N STF9NK90
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10A (Tc) 6.5A (Tc) 7A (Tc) 8A (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1620 pF @ 100 V 452 pF @ 50 V 410 pF @ 100 V 2115 pF @ 25 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Serie SuperMESH3™ MDmesh™ II MDmesh™ II Plus SuperMESH™
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
FET-Merkmal - - - -

STFI13N95K3 Datenblatt PDF

Laden Sie STFI13N95K3 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STFI13N95K3 - STMicroelectronics herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Devices 01/Aug/2014.pdf
Datenblätter
STx(I)13N95K3.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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