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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTFI13NK60Z
STMicroelectronics
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STFI13NK60Z - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STFI13NK60Z
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STFI13NK60Z
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 13A I2PAKFP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-262-3 Full Pack, I²Pak
Datenblatt
STFI13NK60Z.pdf
RoHS Status
vorrätig: 18232

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Spezifikation

STFI13NK60Z Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STFI13NK60Z Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STFI13NK60Z

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse I2PAKFP (TO-281)  
Serie SuperMESH™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 550mOhm @ 4.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 35W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Full Pack, I²Pak  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2030 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 92 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 13A (Tc)  
Grundproduktnummer STFI13N  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STFI13NK60Z.

Produkteigenschaften STFI13NK60Z STF9NM50N STF9NM60N STFI13NM60N
Artikelnummer STFI13NK60Z STF9NM50N STF9NM60N STFI13NM60N
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Verlustleistung (max) 35W (Tc) 25W (Tc) 25W (Tc) 25W (Tc)
Vgs (Max) ±30V ±25V ±25V ±25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 92 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V 17.4 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 550mOhm @ 4.5A, 10V 560mOhm @ 3.7A, 10V 745mOhm @ 3.25A, 10V 360mOhm @ 5.5A, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 500 V 600 V 600 V
Supplier Device-Gehäuse I2PAKFP (TO-281) TO-220FP TO-220FP I2PAKFP (TO-281)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 13A (Tc) 5A (Tc) 6.5A (Tc) 11A (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2030 pF @ 25 V 570 pF @ 50 V 452 pF @ 50 V 790 pF @ 50 V
Serie SuperMESH™ MDmesh™ MDmesh™ II MDmesh™ II
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Full Pack, I²Pak TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-262-3 Full Pack, I²Pak
Grundproduktnummer STFI13N STF9 STF9NM60 STFI13N
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Paket Tube Tube Tube Tube
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA

STFI13NK60Z Datenblatt PDF

Laden Sie STFI13NK60Z PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STFI13NK60Z - STMicroelectronics herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
STFIYYY 15/Dec/2017.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
IPD/15/9156 20/Mar/2015.pdf
Datenblätter
STFI13NK60Z.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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