Spezifikation
STGB30M65DF2 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STGB30M65DF2 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STGB30M65DF2
| Produkteigenschaften |
Eigenschaften
| |
| Hersteller |
STMicroelectronics |
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| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) |
650 V |
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| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic |
2V @ 15V, 30A |
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| Testbedingung |
400V, 30A, 10Ohm, 15V |
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| Td (ein / aus) bei 25 ° C |
31.6ns/115ns |
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| Schaltenergie |
300µJ (on), 960µJ (off) |
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| Supplier Device-Gehäuse |
D²PAK (TO-263) |
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| Serie |
- |
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| Rückwärts-Erholzeit (Trr) |
140 ns |
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| Leistung - max |
258 W |
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| Produkteigenschaften |
Eigenschaften
| |
| Verpackung / Gehäuse |
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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| Paket |
Tape & Reel (TR) |
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| Betriebstemperatur |
-55°C ~ 175°C (TJ) |
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| Befestigungsart |
Surface Mount |
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| Eingabetyp |
Standard |
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| IGBT-Typ |
Trench Field Stop |
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| Gate-Ladung |
80 nC |
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| Strom - Collector Pulsed (Icm) |
120 A |
|
| Strom - Kollektor (Ic) (max) |
60 A |
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| Grundproduktnummer |
STGB30 |
|
Lieferung
Lieferzeit
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| Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder |
| Region |
Land |
Logistische Zeit (Tag) |
| Amerika |
Vereinigte Staaten |
5 |
| Brasilien |
7 |
| Europa |
Deutschland |
5 |
| Großbritannien |
4 |
| Italien |
5 |
| Ozeanien |
Australien |
6 |
| Neuseeland |
5 |
| Asien |
Indien |
4 |
| Japan |
4 |
| Naher Osten |
Israel |
6 |
| DHL & FedEx -Versandkosten Referenz |
| Versandkosten (KG) |
Referenz DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg |
USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg |
USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg |
USD$50.00 - USD$100.00 |
- Notiz:
- Die obige Tabelle dient nur als Referenz.Möglicherweise gibt es einige Datenverzerrungen für die unkontrollierbaren Faktoren.
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STGB30H60DFB
STGB20NB37LZT4STMicroelectronicsIGBT 425V 40A 200W D2PAK
STGB3NB60HDSTMicroelectronics
STGB35N35LZ-1STMicroelectronicsIGBT 345V 40A 176W I2PAK