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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-IGBTs-EinzelSTGB40H65FB
STGB40H65FB Image
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STGB40H65FB - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STGB40H65FB
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STGB40H65FB
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IGBT BIPO 650V 40A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
STGB40H65FB Datasheet.pdf
RoHS Status
vorrätig: 13426

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Spezifikation

STGB40H65FB Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STGB40H65FB Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STGB40H65FB

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 650 V  
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 40A  
Testbedingung 400V, 40A, 5Ohm, 15V  
Td (ein / aus) bei 25 ° C 40ns/142ns  
Schaltenergie 498µJ (on), 363µJ (off)  
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263)  
Serie HB  
Leistung - max 283 W  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabetyp Standard  
IGBT-Typ Trench Field Stop  
Gate-Ladung 210 nC  
Strom - Collector Pulsed (Icm) 160 A  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 80 A  
Grundproduktnummer STGB40  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STGB40H65FB.

Produkteigenschaften STGB40H65FB STGB5H60DF STGB7H60DF STGB7NB60HDT4
Artikelnummer STGB40H65FB STGB5H60DF STGB7H60DF STGB7NB60HDT4
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 650 V 600 V 600 V 600 V
Td (ein / aus) bei 25 ° C 40ns/142ns 30ns/140ns 30ns/160ns 15ns/75ns
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Eingabetyp Standard Standard Standard Standard
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 40A 1.95V @ 15V, 5A 1.95V @ 15V, 7A 2.8V @ 15V, 7A
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) 150°C (TJ)
Gate-Ladung 210 nC 43 nC 46 nC 42 nC
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D2PAK
Schaltenergie 498µJ (on), 363µJ (off) 56µJ (on), 78.5µJ (off) 99µJ (on), 100µJ (off) 85µJ (off)
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Serie HB - - PowerMESH™
IGBT-Typ Trench Field Stop Trench Field Stop Trench Field Stop -
Testbedingung 400V, 40A, 5Ohm, 15V 400V, 5A, 47Ohm, 15V 400V, 7A, 47Ohm, 15V 480V, 7A, 10Ohm, 15V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Strom - Collector Pulsed (Icm) 160 A 20 A 28 A 56 A
Leistung - max 283 W 88 W 88 W 80 W
Strom - Kollektor (Ic) (max) 80 A 10 A 14 A 14 A
Grundproduktnummer STGB40 STGB5 STGB7 STGB7

STGB40H65FB Datenblatt PDF

Laden Sie STGB40H65FB PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STGB40H65FB - STMicroelectronics herunter.

PCN -Verpackung
Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
IGBT/IPM TFS A/T Add 22/Oct/2021.pdf
Datenblätter
STGB40H65FB Datasheet.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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32D-STGB40H65FB

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