Spezifikation
STGB3NB60SDT4 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STGB3NB60SDT4 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STGB3NB60SDT4
| Produkteigenschaften |
Eigenschaften
| |
| Hersteller |
STMicroelectronics |
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| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) |
600 V |
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| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic |
1.5V @ 15V, 3A |
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| Testbedingung |
480V, 3A, 1kOhm, 15V |
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| Td (ein / aus) bei 25 ° C |
125ns/3.4µs |
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| Schaltenergie |
1.15mJ (off) |
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| Supplier Device-Gehäuse |
D2PAK |
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| Serie |
PowerMESH™ |
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| Rückwärts-Erholzeit (Trr) |
1.7 µs |
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| Leistung - max |
70 W |
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| Produkteigenschaften |
Eigenschaften
| |
| Verpackung / Gehäuse |
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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| Paket |
Tape & Reel (TR) |
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| Betriebstemperatur |
175°C (TJ) |
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| Befestigungsart |
Surface Mount |
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| Eingabetyp |
Standard |
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| IGBT-Typ |
- |
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| Gate-Ladung |
18 nC |
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| Strom - Collector Pulsed (Icm) |
25 A |
|
| Strom - Kollektor (Ic) (max) |
6 A |
|
| Grundproduktnummer |
STGB3 |
|
Lieferung
Lieferzeit
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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)
Versandart
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| Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder |
| Region |
Land |
Logistische Zeit (Tag) |
| Amerika |
Vereinigte Staaten |
5 |
| Brasilien |
7 |
| Europa |
Deutschland |
5 |
| Großbritannien |
4 |
| Italien |
5 |
| Ozeanien |
Australien |
6 |
| Neuseeland |
5 |
| Asien |
Indien |
4 |
| Japan |
4 |
| Naher Osten |
Israel |
6 |
| DHL & FedEx -Versandkosten Referenz |
| Versandkosten (KG) |
Referenz DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg |
USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg |
USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg |
USD$50.00 - USD$100.00 |
- Notiz:
- Die obige Tabelle dient nur als Referenz.Möglicherweise gibt es einige Datenverzerrungen für die unkontrollierbaren Faktoren.
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STGB7NB60HD MOSSTMicroelectronics
STGB6NC60HD-1STMicroelectronicsIGBT 600V 15A 56W I2PAK