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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTL12N65M2
STL12N65M2 Image
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STL12N65M2 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STL12N65M2
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STL12N65M2
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 5A POWERFLAT HV
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerVDFN
Datenblatt
STL12N65M2.pdf
RoHS Status
vorrätig: 20767

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Spezifikation

STL12N65M2 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STL12N65M2 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STL12N65M2

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PowerFlat™ (5x6) HV  
Serie MDmesh™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 750mOhm @ 3A, 10V  
Verlustleistung (max) 48W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 410 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12.5 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5A (Tc)  
Grundproduktnummer STL12  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STL12N65M2.

Produkteigenschaften STL12N65M2 STL12N60M2 STL120N4F6AG STL12N65M5
Artikelnummer STL12N65M2 STL12N60M2 STL120N4F6AG STL12N65M5
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Vgs (Max) ±25V ±25V ±20V ±25V
Serie MDmesh™ MDmesh™ M2 Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6 MDmesh™ V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12.5 nC @ 10 V 16 nC @ 10 V 63 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V
Supplier Device-Gehäuse PowerFlat™ (5x6) HV PowerFlat™ (5x6) HV PowerFlat™ (5x6) PowerFlat™ (5x6)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Grundproduktnummer STL12 STL12 STL120 STL12
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 750mOhm @ 3A, 10V 495mOhm @ 4.5A, 10V 3.6mOhm @ 13A, 10V 530mOhm @ 4.25A, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V 600 V 40 V 650 V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN
Verlustleistung (max) 48W (Tc) 52W (Tc) 96W (Tc) 48W (Tc)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5A (Tc) 6.5A (Tc) 55A (Tc) 8.5A (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 410 pF @ 100 V 538 pF @ 100 V 3700 pF @ 25 V 644 pF @ 100 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

STL12N65M2 Datenblatt PDF

Laden Sie STL12N65M2 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STL12N65M2 - STMicroelectronics herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
DK OBS NOTICE.pdf
PCN -Verpackung
Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Wafer Site Add 3/Aug/2018.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STL12N65M2

STMicroelectronics
32D-STL12N65M2

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