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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTL13N60M2
STL13N60M2 Image
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STL13N60M2 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STL13N60M2
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STL13N60M2
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 7A POWERFLAT HV
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerVDFN
Datenblatt
STL13N60M2.pdf
RoHS Status
vorrätig: 28316

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Spezifikation

STL13N60M2 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STL13N60M2 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STL13N60M2

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PowerFlat™ (5x6) HV  
Serie MDmesh™ II Plus  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 420mOhm @ 4.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 55W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 580 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7A (Tc)  
Grundproduktnummer STL13  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STL13N60M2.

Produkteigenschaften STL13N60M2 STL150N3LLH6 STL12N60M2 STL12N65M5
Artikelnummer STL13N60M2 STL150N3LLH6 STL12N60M2 STL12N65M5
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Supplier Device-Gehäuse PowerFlat™ (5x6) HV PowerFlat™ (5x6) PowerFlat™ (5x6) HV PowerFlat™ (5x6)
Betriebstemperatur 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V 40 nC @ 4.5 V 16 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 30 V 600 V 650 V
Verlustleistung (max) 55W (Tc) 80W (Tc) 52W (Tc) 48W (Tc)
Grundproduktnummer STL13 STL150 STL12 STL12
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 4.5V, 10V 10V 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 1V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V ±20V ±25V ±25V
Serie MDmesh™ II Plus DeepGATE™, STripFET™ VI MDmesh™ M2 MDmesh™ V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7A (Tc) 150A (Tc) 6.5A (Tc) 8.5A (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 420mOhm @ 4.5A, 10V 2.4mOhm @ 16.5A, 10V 495mOhm @ 4.5A, 10V 530mOhm @ 4.25A, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 580 pF @ 100 V 4040 pF @ 25 V 538 pF @ 100 V 644 pF @ 100 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN

STL13N60M2 Datenblatt PDF

Laden Sie STL13N60M2 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STL13N60M2 - STMicroelectronics herunter.

PCN -Verpackung
Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev OBS 3/Jul/2020.pdf Mult Dev Reinstate 6/Aug/2020.pdf
Datenblätter
STL13N60M2.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STL13N60M2

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32D-STL13N60M2

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