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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTL130N8F7
STMicroelectronics
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

STL130N8F7 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STL130N8F7
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STL130N8F7
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 80V 130A POWERFLAT
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerVDFN
Datenblatt
STL130N8F7.pdf
RoHS Status
vorrätig: 22203

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Anzahl

Spezifikation

STL130N8F7 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STL130N8F7 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STL130N8F7

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PowerFlat™ (5x6)  
Serie DeepGATE™, STripFET™ VII  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.6mOhm @ 13A, 10V  
Verlustleistung (max) 135W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6340 pF @ 40 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 96 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 130A (Tc)  
Grundproduktnummer STL130  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STL130N8F7.

Produkteigenschaften STL130N8F7 STL140N4F7AG STL13N60DM2 STL12N60M2
Artikelnummer STL130N8F7 STL140N4F7AG STL13N60DM2 STL12N60M2
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie DeepGATE™, STripFET™ VII Automotive, AEC-Q101, STripFET™ MDmesh™ DM2 MDmesh™ M2
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN
Supplier Device-Gehäuse PowerFlat™ (5x6) PowerFlat™ (5x6) PowerFlat™ (5x6) HV PowerFlat™ (5x6) HV
Vgs (Max) ±20V ±20V ±25V ±25V
FET-Merkmal - - - -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 96 nC @ 10 V 29 nC @ 10 V 19 nC @ 10 V 16 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.6mOhm @ 13A, 10V 2.5mOhm @ 16A, 10V 370mOhm @ 4A, 10V 495mOhm @ 4.5A, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6340 pF @ 40 V 2300 pF @ 25 V 730 pF @ 100 V 538 pF @ 100 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V 40 V 600 V 600 V
Grundproduktnummer STL130 STL140 STL13 STL12
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 130A (Tc) 120A (Tc) 8A (Tc) 6.5A (Tc)
Verlustleistung (max) 135W (Tc) 111W (Tc) 52W (Tc) 52W (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount, Wettable Flank Surface Mount Surface Mount

STL130N8F7 Datenblatt PDF

Laden Sie STL130N8F7 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STL130N8F7 - STMicroelectronics herunter.

PCN -Verpackung
Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdf
Datenblätter
STL130N8F7.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Wafer Site Transfer 5/May/2017.pdf

Lieferung

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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