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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTL85N6F3
STL85N6F3 Image
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STL85N6F3 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STL85N6F3
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STL85N6F3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 85A POWERFLAT
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerVDFN
Datenblatt
STL85N6F3.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4380

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Anzahl

Spezifikation

STL85N6F3 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STL85N6F3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STL85N6F3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PowerFlat™ (5x6)  
Serie STripFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.7mOhm @ 8.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 80W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3400 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 85A (Tc)  
Grundproduktnummer STL85  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STL85N6F3.

Produkteigenschaften STL85N6F3 STL8N80K5 STL8N10LF3 STL8N6LF6AG
Artikelnummer STL85N6F3 STL8N80K5 STL8N10LF3 STL8N6LF6AG
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Supplier Device-Gehäuse PowerFlat™ (5x6) PowerFlat™ (5x6) PowerFlat™ (5x6) PowerFlat™ (5x6)
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 5V @ 100µA 3V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Grundproduktnummer STL85 STL8N80 STL8 STL8
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V 16.5 nC @ 10 V 20.5 nC @ 10 V 27 nC @ 10 V
Serie STripFET™ SuperMESH5™ Automotive, AEC-Q101, STripFET™ III Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 5V, 10V 4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 800 V 100 V 60 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
FET-Merkmal - - - -
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN
Verlustleistung (max) 80W (Tc) 42W (Tc) 4.3W (Ta), 70W (Tc) 4.8W (Ta), 55W (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3400 pF @ 25 V 450 pF @ 100 V 970 pF @ 25 V 1340 pF @ 25 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 85A (Tc) 4.5A (Tc) 20A (Tc) 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.7mOhm @ 8.5A, 10V 950mOhm @ 3A, 10V 35mOhm @ 4A, 10V 27mOhm @ 9.6A, 10V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±20V

STL85N6F3 Datenblatt PDF

Laden Sie STL85N6F3 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STL85N6F3 - STMicroelectronics herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
IPD/15/9345 04/Aug/2015.pdf
Datenblätter
STL85N6F3.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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32D-STL85N6F3

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