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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTL8N65M5
STMicroelectronics
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

STL8N65M5 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STL8N65M5
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STL8N65M5
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 7A POWERFLAT
detaillierte Beschreibung
Verpackung
14-PowerVQFN
Datenblatt
STL8N65M5.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4680

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Spezifikation

STL8N65M5 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STL8N65M5 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STL8N65M5

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PowerFLAT™ (5x5)  
Serie MDmesh™ V  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 3.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 70W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 14-PowerVQFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 690 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.4A (Ta), 7A (Tc)  
Grundproduktnummer STL8  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STL8N65M5.

Produkteigenschaften STL8N65M5 STL8P4LLF6 STL85N6F3 STL8N6LF6AG
Artikelnummer STL8N65M5 STL8P4LLF6 STL85N6F3 STL8N6LF6AG
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 70W (Tc) 2.9W (Ta) 80W (Tc) 4.8W (Ta), 55W (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse PowerFLAT™ (5x5) PowerFlat™ (3.3x3.3) PowerFlat™ (5x6) PowerFlat™ (5x6)
Vgs (Max) ±25V ±20V ±20V ±20V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.4A (Ta), 7A (Tc) 8A (Tj) 85A (Tc) 32A (Tc)
Grundproduktnummer STL8 STL8 STL85 STL8
Typ FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 3.5A, 10V 20.5mOhm @ 4A, 10V 5.7mOhm @ 8.5A, 10V 27mOhm @ 9.6A, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V 40 V 60 V 60 V
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 690 pF @ 100 V 2850 pF @ 25 V 3400 pF @ 25 V 1340 pF @ 25 V
Verpackung / Gehäuse 14-PowerVQFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
FET-Merkmal - - - -
Serie MDmesh™ V STripFET™ F6 STripFET™ Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V 22 nC @ 4.5 V 60 nC @ 10 V 27 nC @ 10 V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 4.5V, 10V 10V 4.5V, 10V

STL8N65M5 Datenblatt PDF

Laden Sie STL8N65M5 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STL8N65M5 - STMicroelectronics herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
IPD/15/9345 04/Aug/2015.pdf
Datenblätter
STL8N65M5.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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