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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTL8N80K5
STL8N80K5 Image
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STL8N80K5 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STL8N80K5
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STL8N80K5
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 4.5A POWERFLAT
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerVDFN
Datenblatt
STL8N80K5.pdf
RoHS Status
vorrätig: 22426

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Spezifikation

STL8N80K5 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STL8N80K5 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STL8N80K5

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PowerFlat™ (5x6)  
Serie SuperMESH5™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 950mOhm @ 3A, 10V  
Verlustleistung (max) 42W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 450 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16.5 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.5A (Tc)  
Grundproduktnummer STL8N80  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STL8N80K5.

Produkteigenschaften STL8N80K5 STL9N60M2 STL90N10F7 STL90N3LLH6
Artikelnummer STL8N80K5 STL9N60M2 STL90N10F7 STL90N3LLH6
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16.5 nC @ 10 V 10 nC @ 10 V 39 nC @ 10 V 17 nC @ 4.5 V
Supplier Device-Gehäuse PowerFlat™ (5x6) PowerFlat™ (5x6) HV PowerFlat™ (5x6) PowerFlat™ (5x6)
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 1V @ 250µA
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 950mOhm @ 3A, 10V 860mOhm @ 2.4A, 10V 10.5mOhm @ 8A, 10V 4.5mOhm @ 12A, 10V
Vgs (Max) ±30V ±25V ±20V ±20V
Verlustleistung (max) 42W (Tc) 48W (Tc) 5W (Ta), 100W (Tc) 60W (Tc)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.5A (Tc) 4.8A (Tc) 70A (Tc) 90A (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V 600 V 100 V 30 V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 450 pF @ 100 V 320 pF @ 100 V 3550 pF @ 50 V 1690 pF @ 25 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Grundproduktnummer STL8N80 STL9 STL90 STL90
Serie SuperMESH5™ MDmesh™ II Plus DeepGATE™, STripFET™ VII DeepGATE™, STripFET™ VI
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 4.5V, 10V

STL8N80K5 Datenblatt PDF

Laden Sie STL8N80K5 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STL8N80K5 - STMicroelectronics herunter.

PCN -Verpackung
Box Label Chg 28/Jul/2016.pdf Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
IPD/15/9124 20/Mar/2015.pdf
Datenblätter
STL8N80K5.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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