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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTS10P3LLH6
STS10P3LLH6 Image
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STS10P3LLH6 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STS10P3LLH6
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STS10P3LLH6
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 10A 8SO
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
STS10P3LLH6.pdf
RoHS Status
vorrätig: 45920

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Spezifikation

STS10P3LLH6 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STS10P3LLH6 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STS10P3LLH6

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min)  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie STripFET™ H6  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 5A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.7W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3350 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33 nC @ 4.5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10A (Ta)  
Grundproduktnummer STS10  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STS10P3LLH6.

Produkteigenschaften STS10P3LLH6 STS13N3LLH5 STS12NH3LL STS10N3LH5
Artikelnummer STS10P3LLH6 STS13N3LLH5 STS12NH3LL STS10N3LH5
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3350 pF @ 25 V 1500 pF @ 25 V 965 pF @ 25 V 475 pF @ 25 V
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33 nC @ 4.5 V 12 nC @ 4.5 V 12 nC @ 4.5 V 4.6 nC @ 5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 5A, 10V 6.6mOhm @ 6.5A, 10V 10.5mOhm @ 6A, 10V 21mOhm @ 5A, 10V
Typ FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) 2.7W (Ta) 2.7W (Tc) 2.7W (Tc) 2.5W (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Serie STripFET™ H6 STripFET™ V STripFET™ STripFET™ V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min) 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA
FET-Merkmal - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10A (Ta) 13A (Tc) 12A (Tc) 10A (Tc)
Vgs (Max) ±20V +22V, -20V ±16V ±22V
Grundproduktnummer STS10 STS13 STS12 STS10
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

STS10P3LLH6 Datenblatt PDF

Laden Sie STS10P3LLH6 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STS10P3LLH6 - STMicroelectronics herunter.

Datenblätter
STS10P3LLH6.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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