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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTS12NF30L
STS12NF30L Image
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STS12NF30L - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STS12NF30L
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STS12NF30L
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 12A 8SO
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
STS12NF30L.pdf
RoHS Status
Unsere Zertifizierung
vorrätig: 5310

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Spezifikation

STS12NF30L Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STS12NF30L Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STS12NF30L

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie STripFET™ II  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 6A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2400 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12A (Tc)  
Grundproduktnummer STS12  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STS12NF30L.

Produkteigenschaften STS12NF30L STS10PF30L STS10P4LLF6 STS17NH3LL
Artikelnummer STS12NF30L STS10PF30L STS10P4LLF6 STS17NH3LL
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta) 2.5W (Tc) 2.7W (Ta) 2.7W (Tc)
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Betriebstemperatur 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ FET N-Channel P-Channel P-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±16V ±16V ±20V ±16V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12A (Tc) 10A (Tc) 10A (Ta) 17A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 4.5 V 39 nC @ 4.5 V 34 nC @ 4.5 V 24 nC @ 4.5 V
Serie STripFET™ II STripFET™ II STripFET™ F6 STripFET™
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
FET-Merkmal - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2400 pF @ 25 V 2300 pF @ 25 V 3525 pF @ 25 V 1810 pF @ 25 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 6A, 10V 14mOhm @ 5A, 10V 15mOhm @ 3A, 10V 5.7mOhm @ 8.5A, 10V
Grundproduktnummer STS12 STS10 STS10 STS17
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA (Min) 1V @ 250µA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 40 V 30 V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V

STS12NF30L Datenblatt PDF

Laden Sie STS12NF30L PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STS12NF30L - STMicroelectronics herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
IPD/15/9345 04/Aug/2015.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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STS12NF30L

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32D-STS12NF30L

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